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公开(公告)号：CN118573163A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410668539.8
申请日：2024-05-27
申请人： 上海法雷奥汽车电器系统有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种驱动电路和驱动电路控制方法，其中，驱动电路包括：至少两个高边开关、至少一个低边开关和逻辑控制电路；至少两个高边开关包括第一高边开关和第二高边开关；第一高边开关用于控制输入至负载的工作电压的接通和断开，第二高边开关与第一高边开关并联连接；低边开关与第一高边开关串联；低边开关与负载并联；逻辑控制电路用于在第一高边开关短路时，控制第一高边开关所在支路断开，并控制第二高边开关导通。本发明提供的驱动电路能够在第一高边开关出现故障的情况下，控制第一高边开关所在支路断开连接，并导通第二高边开关所在支路导通，实现了驱动电路失控状态的脱离，并能在排除故障后，恢复正常驱动功能。
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公开(公告)号：CN118572639A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411045686.6
申请日：2024-08-01
申请人： 浙江迪尔逊科技有限公司
IPC分类号： H02H9/02 , H02H9/04 , H02H1/00 , H01H47/00 , H03K17/081 , H03K17/687 , H03K17/08
摘要： 本发明涉及一种防火限流保护器及其工作方法，其包括主开关电路和逻辑控制器，主开关电路中设有电压互感器、电流监测器、MOS管组开关和第一磁保持继电器，逻辑控制器为接收电压互感器、电流监测器信号并控制MOS管组开关、第一磁保持继电器的通断。所述主开关电路中设有相对于MOS管组开关呈并联接入的电压冲击缓冲电路，该电压冲击缓冲电路为触发电路，当MOS管组开关两端的电压达到设定值时，触发该电压冲击缓冲电路导通主开关电路，并降低电压至MOS管组开关的安全电压范围内，降低电流至第一磁保持继电器无电弧断开的范围内。通过上述，有效对MOS管组开关形成冲击保护，且降压限流后，使第一磁保持继电器断开时不会形成火花，切断保护较为安全、可靠。
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公开(公告)号：CN108649938B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201810851481.5
申请日：2018-07-27
申请人： 深圳英飞源技术有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/60 , H03K17/74
摘要： 本发明公开了一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1，负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成，MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接，稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接，所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接，电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接，电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接；本发明采用该电路能够有效减小MOS管的GS正向和负向驱动尖峰电压，提高MOS管的可靠开通和关断，具有电路结构简单，性能可靠等优点。
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公开(公告)号：CN118554926A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410708898.1
申请日：2024-06-03
申请人： 深圳市芯联芯电子有限公司
发明人： 肖志强
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687 , H03K7/08
摘要： 本发明具体涉及一种抑制驱动电压尖峰的MOSfet管驱动电路，其包括可调式TVS管，可调式TVS管击穿电压可通过外部控制信号进行动态调节；VTTS管阴极连接MOSFET栅极，阳极连接吸收电容一端，另一端连接MOSFET源极；吸收电阻与VTTS管并联连接；还包括吸收电容，吸收电容在MOSFET开通时初始电容为零，通过VTTS管快速钳位开通时刻的栅源尖峰电压，随着吸收电容充电至驱动平台电压，VTTS管根据外部控制信号调整击穿电压，持续抑制高于平台电压的尖峰；吸收电阻与电容用于共同作用吸收驱动尖峰。
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公开(公告)号：CN118523761A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410576824.7
申请日：2024-05-10
申请人： 上海耀杉电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/081 , H03K17/567 , H02H7/22 , H02M1/08 , H02M1/38 , H02J9/06
摘要： 本申请提供IGBT防击穿电路及方法，涉及电力电子领域。IGBT防击穿电路电路包括：PTC控制器电路、低压检测电路和IGBT驱动电路；PTC控制器电路与所述低压检测电路电连接，所述PTC控制器电路与所述IGBT驱动电路电连接，所述IGBT驱动电路与IGBT电连接；低压检测电路用于检测所述PTC控制器电路的低压电源输入端的输入电压值，并将所述输入电压值输出给所述PTC控制器电路；PTC控制器电路用于当所述输入电压值低于预设的预警欠压门限阈值时，生成IGBT分级关断指令给所述IGBT驱动电路；IGBT驱动电路用于对所述IGBT进行供电和栅极驱动控制，并根据所述IGBT分级关断指令对所述IGBT进行分级关断。通过两阶段的分级关断过程，避免突变导致的高压电流冲击，有力保证了IGBT和系统的整体安全。
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公开(公告)号：CN117879559B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311771965.6
申请日：2023-12-21
申请人： 宁波兴为汽车电子有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种MOS高边输出失效的二次保护装置及保护方法，涉及信号发生器电路设计技术领域，包括MOS管T1和二次保护电阻RT，其中，MOS管T1的漏极连接车辆系统电压VCC，二次保护电阻RT的上游连接所述MOS管T1的源极；当MOS管T1的一次保护为短路型失效，二次保护电阻RT的内阻发热，当二次保护电阻RT内阻发热至一定时长二次保护电阻RT断路，二次保护电阻RT内阻的发热时长为秒级时长。本发明通过设置短路保护时间滞后一次短路保护时间的二次电阻RT，同时通过采用额定电流大于MOS管T1一次保护的过流保护电流的合金电阻，能够对MOS管T1负载起二次保护作用，在MOS管T1一次保护短路型失效后起二次保护作用并主动切断线路，防止严重事故的发生，具有实用性。
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公开(公告)号：CN118412340A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410533295.2
申请日：2024-04-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 刘张李
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768 , H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种射频开关结构及其制备方法，所述射频开关结构包括：SOI衬底；设于所述SOI衬底上且依次级联于首端与尾端之间的N个晶体管，所述首端连接射频输入，所述尾端接地，N为大于或等于4的整数；其中，所述晶体管包括栅极结构及所述栅极结构两侧的源漏结构，靠近所述首端的部分晶体管的栅极结构与源漏结构之间的偏移间距小于远离所述首端的部分晶体管的栅极结构与源漏结构之间的偏移间距。本发明中，可通过平衡射频开关结构上各晶体管的电压分布以提高射频开关结构的功率处理能力。
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公开(公告)号：CN108768360B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201810961875.6
申请日：2018-08-22
申请人： 苏州华芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H03K17/081
摘要： 本发明揭示了一种过流保护电路，包括保护电路本体和导通检测电路，导通检测电路用于检测保护电路本体中相关MOS管的导通情况，根据检测结果控制保护电路本体是否触发过流保护机制。本发明可以解决传统过流保护存在时间上的盲区问题。
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公开(公告)号：CN118399938A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410291894.8
申请日：2024-03-14
申请人： 上海数明半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/081
摘要： 本发明提供了一种容性负载开关电路及电子设备，该电路的负载包括负载电容以及负载电阻，高边开关管的第一端接收电源电压，其第二端分别耦接至负载电容的第一端以及负载电阻的第一端，负载电容的第二端以及负载电阻的第二端接地；控制模块被配置为：在容性负载开关电路处于初始启动状态时，输出启动脉冲信号控制高边开关管的导通时间以及导通频率，以向所述负载电容输出电流值受控制的电流，以对负载电容进行预充电，避免高边开关管的两端出现瞬态大电流，实现对于容性负载开关电路的软启动，进而保证了负载内的电路可以稳定正常工作。
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公开(公告)号：CN109787597B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201711111411.8
申请日：2017-11-13
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： H03K17/081
摘要： 本公开涉及负载开关栅极保护电路。栅极保护电路系统保护诸如MOSFET之类的晶体管不受可以永久损坏晶体管的栅极氧化物层的大的栅极至源极电压差的影响。源极电压检测器基于晶体管的源极电压选择性地启用栅极保护电路系统。栅极保护电路在没有任何齐纳二极管的情况下实现。晶体管可以是被选择性地控制以向负载施加电源电压的负载开关。
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