Invention Grant
- Patent Title: 钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法
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Application No.: CN201510133979.4Application Date: 2015-03-25
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Publication No.: CN104947064BPublication Date: 2018-11-13
- Inventor: 堀田隼史 , 饗场康 , 前川浩治
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 2014-061929 2014.03.25 JP
- Main IPC: C23C16/14
- IPC: C23C16/14 ; H01L21/768
Abstract:
本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法。对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。
Public/Granted literature
- CN104947064A 钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2015-09-30
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IPC分类:
