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公开(公告)号：CN115725956B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211005532.5
申请日：2022-08-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
摘要： 本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。壳体覆盖升降轴的周围，盖构件以隔着间隙包围升降轴的方式配置。设置有以如下方式进行引导的引导构件：从吹扫气体供给部供给到壳体的吹扫气体在经由间隙向处理容器流入了之后，从朝向载置台的背面的方向逸散而流动。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN110359027B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910220826.1
申请日：2019-03-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN102365386A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013870.2
申请日：2010-03-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/45534 , H01L21/28562 , H01L27/10852 , H01L28/75
摘要： 向腔室内搬入被处理基板的晶片，将腔室内保持于真空状态，加热晶片，同时向腔室内交替地供给TiCl4气体和MMH气体，在晶片上形成TiN膜。
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公开(公告)号：CN111554577B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
摘要： 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN111554577A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
摘要： 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN109280901A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811389808.8
申请日：2015-03-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法和成膜装置。反复进行对被处理基板交替供给氯化钨气体和H2气体的循环，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。
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公开(公告)号：CN104947065B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510142640.0
申请日：2015-03-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/14
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/32135 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明不使工序变得繁杂且即使微细化也不对基底产生恶劣影响，并且以高生产量形成消除了埋入部分的孔隙或接缝的钨膜。在腔室内配置具有孔的晶片，同时或交替供给WCl6气体和H2气体，将晶片加热并使这些气体反应，在孔内形成钨的埋入部(步骤1)，接着，向腔室内供给WCl6气体，对埋入部的上部进行蚀刻，形成开口(步骤2)，接着，向腔室内同时或交替供给WCl6气体和还原气体，将晶片加热并使WCl6气体和还原气体反应，对具有形成有开口的埋入部的晶片形成钨膜(步骤3)。
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公开(公告)号：CN105839068A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610064286.9
申请日：2016-01-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/08 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76877 , C23C16/45525 , H01L21/28506
摘要： 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加还原气体，在该ALD法中，以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。
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公开(公告)号：CN115466941B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210609924.6
申请日：2022-05-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67
摘要： 提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括：喷淋板；基座部件，设置有气体流路，并对所述喷淋板进行固定；以及多个气体供给部件，布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中，并与所述气体流路连接，其中，所述气体供给部件具有用于沿放射方向喷出气体的多个喷出口，从多个所述气体供给部件的喷出口喷出的气体形成旋流。
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公开(公告)号：CN115466942B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210625595.4
申请日：2022-06-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52 , H01L21/3205
摘要： 本发明提供一种改善膜厚的面内分布的喷淋头和基板处理装置。该喷淋头包括:喷淋板；基座部件,其设有气体流路,用于固定上述喷淋板；多个气体供给部件,其配置于在上述喷淋板和上述基座部件之间形成的气体扩散空间内,并且与上述气体流路连接；以及整流板,其配置于上述气体扩散空间内,并且配置于比上述气体供给部件靠外周部。
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