发明公开
- 专利标题: 一种MEMS谐振结构的加工方法
- 专利标题(英): Method for machining MEMS resonant structure
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申请号: CN201510353815.2申请日: 2015-06-24
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公开(公告)号: CN104993804A公开(公告)日: 2015-10-21
- 发明人: 周志健 , 陈磊 , 邝国华
- 申请人: 上海芯赫科技有限公司
- 申请人地址: 上海市嘉定区平城路1455号新微大厦B座3楼05房间
- 专利权人: 上海芯赫科技有限公司
- 当前专利权人: 广东合微集成电路技术有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区平城路1455号新微大厦B座3楼05房间
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 张海英; 黄建祥
- 主分类号: H03H9/24
- IPC分类号: H03H9/24 ; H03H3/007
摘要:
本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法,提供硅晶圆作为衬底硅,在衬底硅的表面生长第一掩膜层;在第一掩膜层上加工开口图样;通过干法刻蚀去除与开口图样对应部分的第一掩膜层以及衬底硅,在衬底硅上形成凹槽结构;生长第二掩膜层,在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层,在所述衬底硅表面形成复合掩膜层;通过干法刻蚀去除所述第二掩膜层,使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除;通过干法刻蚀再次对所述衬底硅进行刻蚀,使所述凹槽结构加深,并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖;通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔;淀积下电极、压电功能材料以及上电极;图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构。
公开/授权文献
- CN104993804B 一种MEMS谐振结构的加工方法 公开/授权日:2018-01-26