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公开(公告)号：CN105424090B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510868610.8
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，衬底硅与顶层硅相对绝缘设置，顶层硅远离衬底硅的一侧为晶圆表面，晶圆表面并位于加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在顶层硅上并设置有连通晶圆表面以及衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式复合传感器，其加速度传感器可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值的变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式复合传感器的加工方法，用于加工如上的MEMS压阻式复合传感器。
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公开(公告)号：CN105675921A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610032044.1
申请日：2016-01-18
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
CPC分类号： G01P15/125 , G01P21/00
摘要： 本发明公开了一种加速度传感器及其制作方法，所述方法包括：在衬底中形成空腔和位于所述空腔上方的与衬底绝缘并依次相互绝缘连接的第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜；在所述第一悬空薄膜上形成与之电连接的第一电极，在所述第二悬空薄膜上形成与之电连接的第二电极，在所述第三悬空薄膜上形成与之电连接的第三电极，以及在衬底上方形成与之电连接的第四电极；形成扭转梁结构，所述第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜通过所述扭转梁结构与所述衬底连接，且所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜沿所述扭转梁结构对称；所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜与所述衬底形成差分电容式检测结构；所述第三悬空薄膜与所述衬底构成晶圆级检测电容结构,实现了晶圆级自检测功能，避免采用离心机测试，降低了由于加速度传感器失效造成的成本损失。
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公开(公告)号：CN104993804A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510353815.2
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法，提供硅晶圆作为衬底硅，在衬底硅的表面生长第一掩膜层；在第一掩膜层上加工开口图样；通过干法刻蚀去除与开口图样对应部分的第一掩膜层以及衬底硅，在衬底硅上形成凹槽结构；生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；通过干法刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除；通过干法刻蚀再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；淀积下电极、压电功能材料以及上电极；图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构。
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公开(公告)号：CN105890827A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610031110.3
申请日：2016-01-18
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电容式压力传感器及其制造方法。方法包括：在衬底中形成空腔和位于空腔上方的悬空薄膜，其中，悬空薄膜与衬底间形成第一凹槽，且通过第一凹槽间隙结构连接；进行电隔离处理，形成表面电隔离层；表面电隔离层上形成掩膜层；图形化刻蚀掩膜层和表面电隔离层，在悬空薄膜上方以及衬底上形成第二凹槽；导电层填充并覆盖第二凹槽；刻蚀导电层和掩膜层，形成电隔离沟槽；沉积绝缘层，并刻蚀绝缘层，形成分别并位于悬空薄膜上方以及衬底上方的第三凹槽；用第一电极和第二电极分别填充覆盖悬空薄膜上方以及衬底上方对应的第三凹槽。实现了工艺流程简单且可以避免粘附现象,可靠性高的效果。
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公开(公告)号：CN105424090A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510868610.8
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，衬底硅与顶层硅相对绝缘设置，顶层硅远离衬底硅的一侧为晶圆表面，晶圆表面并位于加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在顶层硅上并设置有连通晶圆表面以及衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式复合传感器，其加速度传感器可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值的变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式复合传感器的加工方法，用于加工如上的MEMS压阻式复合传感器。
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公开(公告)号：CN105174201A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510353840.0
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS集成复合传感器，包括作为衬底硅材料的 晶向晶圆，所述晶圆的同一侧设置有加速度传感器、压力传感器以及温度传感器；所述加速度传感器具有悬臂梁，以及与所述悬臂梁连接的质量块，所述悬臂梁与所述质量块为一体结构，所述质量块的厚度大于所述悬臂梁的厚度；所述压力传感器具有敏感膜，所述敏感膜的厚度与所述悬臂梁的厚度相同或不同；所述悬臂梁与所述质量块均为所述晶圆的一部分，通过刻蚀加工而成。同时本发明中还公开上述传感器的加工方法，通过该方法加工的传感器同一片晶圆上传感器的性能一致性高。
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公开(公告)号：CN104993804B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510353815.2
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法，提供硅晶圆作为衬底硅，在衬底硅的表面生长第一掩膜层；在第一掩膜层上加工开口图样；通过干法刻蚀去除与开口图样对应部分的第一掩膜层以及衬底硅，在衬底硅上形成凹槽结构；生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；通过干法刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除；通过干法刻蚀再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；淀积下电极、压电功能材料以及上电极；图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构。
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公开(公告)号：CN105174201B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510353840.0
申请日：2015-06-24
申请人： 上海芯赫科技有限公司
摘要： 本发明公开一种MEMS集成复合传感器，包括作为衬底硅材料的 晶向晶圆，所述晶圆的同一侧设置有加速度传感器、压力传感器以及温度传感器；所述加速度传感器具有悬臂梁，以及与所述悬臂梁连接的质量块，所述悬臂梁与所述质量块为一体结构，所述质量块的厚度大于所述悬臂梁的厚度；所述压力传感器具有敏感膜，所述敏感膜的厚度与所述悬臂梁的厚度相同或不同；所述悬臂梁与所述质量块均为所述晶圆的一部分，通过刻蚀加工而成。同时本发明中还公开上述传感器的加工方法，通过该方法加工的传感器同一片晶圆上传感器的性能一致性高。
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公开(公告)号：CN105353167A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510863889.0
申请日：2015-12-01
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01P15/12
CPC分类号： G01P15/124
摘要： 本发明公开一种MEMS压阻式加速度传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所述顶层硅相对绝缘设置，所述顶层硅远离所述衬底硅的一侧为晶圆表面，所述晶圆表面并位于所述加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在所述顶层硅上并设置有连通所述晶圆表面以及所述衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式加速度传感器，其可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值得变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式加速度传感器的加工方法，用于加工如上所述的MEMS压阻式加速度传感器。
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公开(公告)号：CN106289334A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610621825.4
申请日：2016-08-02
申请人： 上海芯赫科技有限公司
IPC分类号： G01D5/241 , G01P15/125 , G01L9/12
CPC分类号： G01D5/241 , G01L9/0072 , G01P15/125
摘要： 本发明提供了一种具有自检测功能的电容式复合传感器，包括至少一个加速度传感器和一个压力传感器，基于预制空腔SOI晶圆，所述的预制空腔SOI晶圆依次设置有衬底、绝缘层、器件层以及位于衬底的空腔，所述压力传感器设有空腔；每个所述加速度传感器亦设有空腔，所述加速度传感器的所述空腔的上方开设有贯穿所述器件层、所述绝缘层的释放槽。本发明的电容式复合传感器其加速度传感器基于预制空腔SOI晶圆制造，避免采用键合工艺或者牺牲层技术制作加速度传感器结构，刻蚀及可动结构释放都采用干法刻蚀工艺，其检测差分电容及自检测驱动电容的极板面积由器件层厚度或/和刻蚀深度决定，一致性好，预制空腔SOI晶圆衬底上做有接地电极，减小噪声信号对器件性能的影响。
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