发明公开
- 专利标题: 半导体器件、半导体存储器件和存储系统
- 专利标题(英): Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system
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申请号: CN201510007524.8申请日: 2015-01-07
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公开(公告)号: CN105006250A公开(公告)日: 2015-10-28
- 发明人: 沈荣辅
- 申请人: 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人: 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 俞波; 许伟群
- 优先权: 10-2014-0044812 2014.04.15 KR
- 主分类号: G11C16/10
- IPC分类号: G11C16/10
摘要:
一种半导体器件包括:非易失性存储区块,其适于基于第一控制信息来输出储存在非易失性存储区块所包括的多个非易失性存储器单元中的数据,以及基于第二控制信息来编程非易失性存储器单元中的数据;控制区块,其适于根据初始化信号来产生第一控制信息,其中,在编程模式被激活时,控制区块顺序地产生第二控制信息和第一控制信息;以及测试控制区块,其适于将非易失性存储区块去激活,并且判断包括在第一控制信息和第二控制信息中的多个控制信号之中的至少一个控制信号在编程模式的测试操作中是否被正常地产生。
公开/授权文献
- CN105006250B 半导体器件、半导体存储器件和存储系统 公开/授权日:2019-11-12