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公开(公告)号：CN107919160B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710463331.2
申请日：2017-06-19
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
摘要： 一种半导体器件包括：模式数据发生电路，其产生模式数据；数据比较电路，其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据，以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及故障标志发生电路，其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。
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公开(公告)号：CN104464819A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310684632.X
申请日：2013-12-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
CPC分类号： G11C29/787 , G11C29/808
摘要： 一种自修复器件，包括：阵列断裂电熔丝ARE阵列块，被配置成储存故障地址；ARE控制块，被配置成根据故障地址来控制熔丝组的修复操作、比较多个故障地址、以及确定故障状态；以及冗余块，被配置成储存故障地址的熔丝数据、比较输入地址与故障地址、以及控制行冗余操作和列冗余操作。
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公开(公告)号：CN105989893B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201510053826.9
申请日：2015-02-02
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
IPC分类号： G11C17/16
摘要： 一种半导体器件可以包括熔丝控制器和熔丝阵列。在测试模式下，熔丝控制器可以被配置成根据修复数据的电平组合产生内部地址信号，以及可以响应于断裂控制信号来产生第一电压控制信号和第二电压控制信号，所述断裂控制信号被使能以使用于选择故障冗余字线的预定熔丝阵列断裂。熔丝阵列可以包括多个熔丝组，所述多个熔丝组包括预定熔丝组。多个熔丝组中的每个可以根据所述内部地址信号的电平组合来选择，以及熔丝阵列响应于第一电压控制信号和第二电压控制信号来使用于选择故障冗余字线的预定熔丝组断裂以便输出熔丝数据。
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公开(公告)号：CN104464819B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201310684632.X
申请日：2013-12-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
CPC分类号： G11C29/787 , G11C29/808
摘要： 一种自修复器件，包括：阵列断裂电熔丝ARE阵列块，被配置成储存故障地址；ARE控制块，被配置成根据故障地址来控制熔丝组的修复操作、比较多个故障地址、以及确定故障状态；以及冗余块，被配置成储存故障地址的熔丝数据、比较输入地址与故障地址、以及控制行冗余操作和列冗余操作。
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公开(公告)号：CN107919160A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710463331.2
申请日：2017-06-19
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
CPC分类号： G11C29/38 , G11C29/36 , G11C29/44 , G11C2029/3602 , G11C29/18 , G11C29/42 , G11C29/835 , G11C2029/1804
摘要： 一种半导体器件包括：模式数据发生电路，其产生模式数据；数据比较电路，其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据，以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及故障标志发生电路，其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。
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公开(公告)号：CN105006250A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510007524.8
申请日：2015-01-07
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 一种半导体器件包括：非易失性存储区块，其适于基于第一控制信息来输出储存在非易失性存储区块所包括的多个非易失性存储器单元中的数据，以及基于第二控制信息来编程非易失性存储器单元中的数据；控制区块，其适于根据初始化信号来产生第一控制信息，其中，在编程模式被激活时，控制区块顺序地产生第二控制信息和第一控制信息；以及测试控制区块，其适于将非易失性存储区块去激活，并且判断包括在第一控制信息和第二控制信息中的多个控制信号之中的至少一个控制信号在编程模式的测试操作中是否被正常地产生。
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公开(公告)号：CN106257595B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201510658050.3
申请日：2015-10-12
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
摘要： 一种自修复器件可以包括：电熔丝阵列，被配置为将故障地址的位信息储存在熔丝中；电熔丝控制器，被配置为在出现故障时储存与故障位对应的行地址或列地址，通过将测试期间输入的故障地址与储存在其中的地址进行比较来产生修复地址，输出用于控制电熔丝阵列的熔断操作的熔断使能信号，以及响应于故障地址来输出行熔丝组数据或列熔丝组数据；以及行/列冗余单元，被配置为响应于从电熔丝阵列施加的行熔丝组数据或列熔丝组数据来执行行冗余操作或列冗余操作。
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公开(公告)号：CN106205730B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201510658892.9
申请日：2015-10-12
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
摘要： 一种智能自修复器件，包括：ARE阵列，ARE阵列被配置为将有关于故障地址的相应的位的信息储存在熔丝中；自修复控制块，自修复控制块被配置为当出现故障时储存与故障位相对应的行地址和列地址，通过比较在测试中输入的故障地址与储存的地址来分析故障模式，以及根据故障模式来输出故障地址信息和行熔丝组信息或列熔丝组信息；数据控制块，数据控制块被配置为根据故障地址信息和行熔丝组信息或列熔丝组信息来将修复信息输出至ARE阵列；以及断裂控制块，断裂控制块被配置为控制ARE阵列的断裂操作。
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公开(公告)号：CN105006250B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510007524.8
申请日：2015-01-07
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 一种半导体器件包括：非易失性存储区块，其适于基于第一控制信息来输出储存在非易失性存储区块所包括的多个非易失性存储器单元中的数据，以及基于第二控制信息来编程非易失性存储器单元中的数据；控制区块，其适于根据初始化信号来产生第一控制信息，其中，在编程模式被激活时，控制区块顺序地产生第二控制信息和第一控制信息；以及测试控制区块，其适于将非易失性存储区块去激活，并且判断包括在第一控制信息和第二控制信息中的多个控制信号之中的至少一个控制信号在编程模式的测试操作中是否被正常地产生。
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公开(公告)号：CN106257595A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510658050.3
申请日：2015-10-12
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈荣辅
摘要： 一种自修复器件可以包括：电熔丝阵列，被配置为将故障地址的位信息储存在熔丝中；电熔丝控制器，被配置为在出现故障时储存与故障位对应的行地址或列地址，通过将测试期间输入的故障地址与储存在其中的地址进行比较来产生修复地址，输出用于控制电熔丝阵列的熔断操作的熔断使能信号，以及响应于故障地址来输出行熔丝组数据或列熔丝组数据；以及行/列冗余单元，被配置为响应于从电熔丝阵列施加的行熔丝组数据或列熔丝组数据来执行行冗余操作或列冗余操作。
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