本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N‑层进行扩散形成buffer层，在外延N+层浓度确定后，buffer层厚度决定于正面热过程，如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层，在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺，避免金属粘附性问题；从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。