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公开(公告)号：CN106558624B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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公开(公告)号：CN106611797A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510695743.X
申请日：2015-10-23
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/167 , H01L21/329 , H01L21/268
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/268 , H01L29/0684 , H01L29/167 , H01L29/6609
摘要： 本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法，功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，在所述衬底N-层上生长有氧化层；在P+区内设有深能级掺杂层；深能级杂质的扩散完全依赖于温度，温度决定其扩散速度及在硅中的固溶度。在对深能级杂质进行热扩散时，采用单面退火，如激光退火方式进行，利用激光退火的局域温度分布在芯片轴向范围内实现深能级杂质的限定深度推结，本发明提供的技术方案实现器件局域金属寿命控制。
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公开(公告)号：CN103579322A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN103531616A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310525176.4
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L29/0611 , H01L29/6609
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN105023836B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410169697.5
申请日：2014-04-25
IPC分类号： H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N‑层进行扩散形成buffer层，在外延N+层浓度确定后，buffer层厚度决定于正面热过程，如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层，在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺，避免金属粘附性问题；从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106558624A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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公开(公告)号：CN103579322B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN105702746A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410693539.X
申请日：2014-11-26
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/266
摘要： 本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本发明的二极管恢复特性既快且软；由于局域寿命控制层的存在，器件不需要过多的全局复合中心，可以降低器件漏电，提高器件雪崩耐量；配合电子辐照与铂掺杂，可以实现正向压降温度系数微正的器件，利于并联；可以对器件阳极及阴极的结构及掺杂进行调整，利于提高器件的正向浪涌及动态雪崩能力。
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公开(公告)号：CN103618006B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310525160.3
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型，通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区，这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量，在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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公开(公告)号：CN105023836A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410169697.5
申请日：2014-04-25
IPC分类号： H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N-层进行扩散形成buffer层，在外延N+层浓度确定后，buffer层厚度决定于正面热过程，如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层，在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺，避免金属粘附性问题；从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。
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