发明公开
CN105045329A 一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO
- 专利标题(英): Low dropout linear voltage regulator (LDO) without off-chip capacitor for improving transient response and increasing power supply rejection ratio (PSRR)
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申请号: CN201510393652.0申请日: 2015-07-07
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公开(公告)号: CN105045329A公开(公告)日: 2015-11-11
- 发明人: 常玉春 , 余芝帅 , 吕春燕 , 李欣序 , 丁宁 , 陈佳俊 , 李兆涵 , 彭灿 , 崔霜 , 胡冰妍 , 陈腾 , 刘天照 , 王耕耘 , 李海彬
- 申请人: 吉林大学
- 申请人地址: 吉林省长春市前进大街2699号
- 专利权人: 吉林大学
- 当前专利权人: 吉林大学
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市前进大街2699号
- 代理机构: 长春吉大专利代理有限责任公司
- 代理商 王淑秋
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
本发明涉及一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO,该无片外电容LDO包括:误差放大器、基准电压源模块、功率调整管、NMC密勒补偿电路、电源抑制比增强网络、瞬态响应增强电路。本发明采用NMC的补偿技术以满足系统稳定性要求;利用放大器第二级gm提高电路增大对功率管栅级的充放电电流;引入摆率增强电路可以在LDO负载从小到大阶跃跳变时,为负载提供所需的电流,从而两者共同提高低压差线性稳压器的瞬态响应能力;此外加入电源抑制比增强网络,用其控制系统PSRR的反馈因子β,将原有零点推至更高频率处,从而提升系统PSRR特性。本发明提供的无片外电容LDO在瞬态响应和电源抑制比方面都有所提升。
公开/授权文献
- CN105045329B 一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO 公开/授权日:2016-10-19
IPC分类: