-
公开(公告)号:CN105045329B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201510393652.0
申请日:2015-07-07
申请人: 吉林大学
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 本发明涉及一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO,该无片外电容LDO包括:误差放大器、基准电压源模块、功率调整管、NMC密勒补偿电路、电源抑制比增强网络、瞬态响应增强电路。本发明采用NMC的补偿技术以满足系统稳定性要求;利用放大器第二级gm提高电路增大对功率管栅级的充放电电流;引入摆率增强电路可以在LDO负载从小到大阶跃跳变时,为负载提供所需的电流,从而两者共同提高低压差线性稳压器的瞬态响应能力;此外加入电源抑制比增强网络,用其控制系统PSRR的反馈因子β,将原有零点推至更高频率处,从而提升系统PSRR特性。本发明提供的无片外电容LDO在瞬态响应和电源抑制比方面都有所提升。
-
公开(公告)号:CN105045329A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510393652.0
申请日:2015-07-07
申请人: 吉林大学
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 本发明涉及一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO,该无片外电容LDO包括:误差放大器、基准电压源模块、功率调整管、NMC密勒补偿电路、电源抑制比增强网络、瞬态响应增强电路。本发明采用NMC的补偿技术以满足系统稳定性要求;利用放大器第二级gm提高电路增大对功率管栅级的充放电电流;引入摆率增强电路可以在LDO负载从小到大阶跃跳变时,为负载提供所需的电流,从而两者共同提高低压差线性稳压器的瞬态响应能力;此外加入电源抑制比增强网络,用其控制系统PSRR的反馈因子β,将原有零点推至更高频率处,从而提升系统PSRR特性。本发明提供的无片外电容LDO在瞬态响应和电源抑制比方面都有所提升。
-
公开(公告)号:CN106412453A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610895114.6
申请日:2016-10-14
申请人: 吉林大学
IPC分类号: H04N5/235 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号: H04N5/2355 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要: 本发明公开了一种基于两次电荷转移的高动态范围图像传感器及信号读出方法,属于半导体图像感测技术领域,包括光电转换模块、行列读出控制模块、相关双采样电路、列放大器及模数转换器;相关双采样电路对光电转换模块读出的数据进行采样,并滤除一部分系统噪声,列放大器将相关双采样电路采集到的模拟数据进行放大,由行列读出控制送给模数转换器进行数字化。通过判断入射光的强弱从而产生两路复位信号RST和两路电荷转移控制信号TG,使得在弱光下具有良好的线性响应,而在强光下进行两次电荷转移从而获得良好的线性响应且保持非饱和状态,进而获得图像传感器动态范围的增强。
-
公开(公告)号:CN106412453B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201610895114.6
申请日:2016-10-14
申请人: 吉林大学
IPC分类号: H04N5/235 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要: 本发明公开了一种基于两次电荷转移的高动态范围图像传感器及信号读出方法,属于半导体图像感测技术领域,包括光电转换模块、行列读出控制模块、相关双采样电路、列放大器及模数转换器;相关双采样电路对光电转换模块读出的数据进行采样,并滤除一部分系统噪声,列放大器将相关双采样电路采集到的模拟数据进行放大,由行列读出控制送给模数转换器进行数字化。通过判断入射光的强弱从而产生两路复位信号RST和两路电荷转移控制信号TG,使得在弱光下具有良好的线性响应,而在强光下进行两次电荷转移从而获得良好的线性响应且保持非饱和状态,进而获得图像传感器动态范围的增强。
-
-
-