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发明授权
CN105047675B 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 有权

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
摘要：
本发明涉及显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，包括衬底，衬底的上表面形成有与源极的图案相匹配的第一凹槽和与漏极的图案相匹配的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽分别设置有第一电极和第二电极；第一电极和第二电极上还设置有与第一电极和第二电极相接触的有源层；其中，第一电极至少包括源极，第二电极至少包括漏极；第一凹槽的深度小于第一电极的厚度的二倍；第二凹槽的深度小于第二电极的厚度的二倍。本发明降低了顶栅结构薄膜晶体管的膜层结构段差，提高了产品良率。
摘要（英）：

The present disclosure provides a thin-film transistor. The thin-film transistor includes a substrate including at least one trench; at least one electrode in each of the at least one trench, the at least one electrode being one or more of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; and an active layer over the at least one electrode.

公开/授权文献
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