Invention Grant
- Patent Title: 基于PCBM修饰ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
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Application No.: CN201510229488.XApplication Date: 2015-05-07
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Publication No.: CN105047820BPublication Date: 2018-04-17
- Inventor: 王浩 , 喻继超 , 许扬 , 张军 , 李兆松 , 周海 , 段金霞
- Applicant: 湖北大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Assignee: 湖北大学
- Current Assignee: 湖北大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Agency: 武汉河山金堂专利事务所
- Agent 丁齐旭
- Main IPC: H01L51/42
- IPC: H01L51/42 ; H01L51/46 ; H01L51/48 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便,反应条件要求较低,效果显著,在保持较高的效率的同时,也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起,充分发挥各自的优点,为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。
Public/Granted literature
- CN105047820A 基于PCBM修饰ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Public/Granted day:2015-11-11
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IPC分类: