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公开(公告)号：CN108807681B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201810614038.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于低温TiO2纳米棒的钙钛矿太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。本发明利用TiCl4低温水浴法得到的氧化钛薄膜作为种子层，钛酸四丁酯为钛源，采用水热法在低温条件下成功合成了具有金红石相结构的TiO2纳米棒层。本发明低温法制备的TiO2纳米棒取向性、结晶性均较好，可以有效应用于钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比，本发明制得的低温TiO2纳米棒钙钛矿太阳能电池成本低、稳定性显著提高，光电转换效率可以达到18.65％。另外，本发明整个制备过程操作简单，安全可靠，对环境污染少，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN108389971B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810195305.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN113113314A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110373948.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN112909168A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110308197.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
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公开(公告)号：CN108807681A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810614038.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: H01L51/4226 , H01L2251/303
Abstract: 本发明涉及一种基于低温金红石相TiO2纳米棒的钙钛矿太阳能电池电子传输层的制备方法及应用，属于太阳能电池技术领域。本发明利用TiCl4低温水浴法得到的氧化钛薄膜作为种子层，钛酸四丁酯为钛源，采用水热法在低温条件下成功合成了具有金红石相结构的TiO2纳米棒层。本发明低温法制备的TiO2纳米棒取向性、结晶性均较好，可以有效应用于钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比，本发明制得的低温TiO2纳米棒钙钛矿太阳能电池成本低、稳定性显著提高，光电转换效率可以达到18.65％。另外，本发明整个制备过程操作简单，安全可靠，对环境污染少，具有良好的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091888B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410340552.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: H01L51/4233 , H01L51/0032 , H01L51/4226 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿型太阳能电池由FTO玻璃基底、三明治结构TiO2/ZnO/TiO2致密层、TiO2介孔/钙钛矿结构材料活性吸光层、spiro?OMeTAD空穴传输层与金电极组成。与现有技术相比，三明治结构TiO2/ZnO/TiO2致密层结合了TiO2和ZnO二者的优缺点，使本发明的钙钛矿型太阳能电池的填充因子提高到70％，光电转换效率达到12.6％。本发明制备钙钛矿型太阳能电池设备简易，制备工艺简单，易于控制，成本较低，具有非常良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN113113538B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗 有提升。串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器
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公开(公告)号：CN112909168B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110308197.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
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公开(公告)号：CN115275026A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210917775.X
申请日：2022-08-01
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种2D/3D钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在2D钙钛矿层表面加盖载玻片使PEAI溶液与3D钙钛矿表面充分接触，使用PEAI作为2D钙钛矿阻挡层，在3D钙钛矿薄膜的顶部原位生长2D覆盖层，改进2D层的退火方法以及PEAI的浓度，使用低温碳浆料替代空穴传输层HTM以及金属电极，进而制备得到2D/3D钙钛矿太阳能电池。本发明使用低温碳浆料替代昂贵的空穴传输层HTM以及金属电极，避免了长时间放置金属电极与钙钛矿层相互渗透也大大缩减了实验成本。本发明制备的钙钛矿电池成本低、热稳定性显著提高，在70℃加热10h后仍能保持初始效率的90％，光电效率可达14.63％。
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公开(公告)号：CN112885868A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110149898.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能，在一定次数的直流耐受性测试中，有稳定的操作电压，也有明显的存储窗口。
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