- 专利标题: 采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器
- 专利标题(英): Sampling NMOS tube and generation method thereof, voltage bootstrapping sampling switch and analogue-digital converter
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申请号: CN201510574075.5申请日: 2015-09-10
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公开(公告)号: CN105049048A公开(公告)日: 2015-11-11
- 发明人: 徐代果 , 胡刚毅 , 李儒章 , 王健安 , 陈光炳 , 王育新 , 付东兵 , 邓民明
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人: 重庆吉芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 401334 重庆市沙坪坝区凤凰镇皂桷树村临谢家院子组2号2-2室
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 尹丽云
- 主分类号: H03M1/12
- IPC分类号: H03M1/12
摘要:
本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器,应用于模数转换器领域,本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1,在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2,当输入电压增加时,由于输入电压通常不会大于电源电压,二极管D1/D2处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而增加,同时,由于输入电压通常不会小于0,NMOS管的源/漏极和地之间的寄生二极管DP1/DP2也处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而减小,故二极管D1/D2的寄生电容随输入电压的变化就补偿了寄生二极管DP1/DP2的寄生电容随输入电压的变化,使得采样电容不会随着输入电压的变化而变化,极大的提高了采样开关的线性度,以及整个电路的线性度。
公开/授权文献
- CN105049048B 采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器 公开/授权日:2018-07-20