采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器

    公开(公告)号:CN105049048B

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201510574075.5

    申请日:2015-09-10

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器,应用于模数转换器领域,本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1,在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2,当输入电压增加时,由于输入电压通常不会大于电源电压,二极管D1/D2处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而增加,同时,由于输入电压通常不会小于0,NMOS管的源/漏极和地之间的寄生二极管DP1/DP2也处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而减小,故二极管D1/D2的寄生电容随输入电压的变化就补偿了寄生二极管DP1/DP2的寄生电容随输入电压的变化,使得采样电容不会随着输入电压的变化而变化,极大的提高了采样开关的线性度,以及整个电路的线性度。

    一种基于NMOS管的栅压自举开关电路

    公开(公告)号:CN107370487A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710586131.6

    申请日:2017-07-18

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明提供一种基于NMOS管的栅压自举开关电路,包括用于采样的NMOS管MN1,电压自举电路BOOST,采样开关衬底耦合电容C1,采样开关MN1衬底放电开关MN8,本发明在采样NMOS管NM1的栅极和衬底之间加入了一个耦合电容C1,在采样开关的衬底和地之间加入一个放电开关MN8,当输入信号VIN变化时,如果采样保持电路处于采样状态,放电开关NM8断开,通过自举电路模块BOOST产生的自举效果,当输入信号VIN变化时,如果采样保持电路处于保持状态,放电开关NM8导通,采样开关NM1的衬底电压被下拉到地,同时,采样开关NM1的栅极电压也被下拉到地,从而采样开关NM1断开。本发明所提出的采样保持开关及其辅助电路,和传统结构相比,线性度明显提高。

    基于采样间隔差值统计的采样时间误差检测系统

    公开(公告)号:CN107046425A

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201710252623.1

    申请日:2017-04-18

    IPC分类号: H03M1/10

    摘要: 一种基于采样间隔差值统计的采样时间误差检测系统,包括:检测器、两二倍插值器、校正滤波器及加法器,第一采样后信号与检测器的第一输入端及第一二倍插值器的输入端均相连,第二采样后信号与检测器的第二输入端及第二二倍插值器的输入端均相连,所述第一二倍插值器的输出端与加法器的第一输入端相连,所述第二二倍插值器的输出端与校正滤波器的输入端相连,所述校正滤波器的输出端与加法器的第二输入端相连,所述检测器用于接收两采样信号并对其进行处理以得到通道间误差信息,所述校正滤波器用于根据输入的通道间误差信息调整其校正值,以调整其输出的信号。本发明相对于传统的采样时间误差检测算法具有硬件设计简单以及硬件开销小的优点。

    基于FFT提取的码密度高阶谐波校正系统

    公开(公告)号:CN106936434A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710146779.1

    申请日:2017-03-13

    发明人: 邓民明 刘涛 王旭

    IPC分类号: H03M1/10

    摘要: 一种基于FFT提取的码密度高阶谐波校正系统,包括:模数转换器、用于提取高阶谐波失真信息的运算单元、用于对校正信号的码密度信息进行提取及建模的建模单元、查找表,所述模数转换器用于将输入的模拟信号转换为数字信号,所述运算单元用于得到校正三阶失真所需的时域信号,所述建模单元用于对校正信号的码密度信息进行建模以得到码密度校正配置信息,所述查找表中存储有存储该码密度校正配置信息,所述查找表根据其内部所存储的存储该码密度校正配置信息来对数字信号完成数据校正处理。上述基于FFT提取的码密度高阶谐波校正系统可实现在高频宽内有效的抑制相应的高阶谐波,从而能够提升整个信息系统的频率响应。

    采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器

    公开(公告)号:CN105049048A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510574075.5

    申请日:2015-09-10

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器,应用于模数转换器领域,本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1,在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2,当输入电压增加时,由于输入电压通常不会大于电源电压,二极管D1/D2处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而增加,同时,由于输入电压通常不会小于0,NMOS管的源/漏极和地之间的寄生二极管DP1/DP2也处于反偏,他们的寄生电容会随着输入电压的增加而减小,故二极管D1/D2的寄生电容随输入电压的变化就补偿了寄生二极管DP1/DP2的寄生电容随输入电压的变化,使得采样电容不会随着输入电压的变化而变化,极大的提高了采样开关的线性度,以及整个电路的线性度。

    多通道模数转换系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118118021A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410300286.9

    申请日:2024-03-15

    IPC分类号: H03M1/10 H03M1/12

    摘要: 本发明提供一种多通道模数转换系统,结合多通道时间交织模数转换器、嵌入式处理器及N个数字校正滤波器设计多通道模数转换系统,结合嵌入式处理器及N个数字校正滤波器对多通道时间交织模数转换器的误差进行灵活可调校正,校正程序可参考校正精度和校正周期等因素灵活可调,且无需改动相关硬件,只需要上位机的在线编程调试就能实现校正资源的配置调节,在实现多通道时间交织模数转换器的误差校正的同时,降低了多通道模数转换芯片的成本和开发设计周期;基于嵌入式处理器的设计,其对应的交织方式灵活可调,与此对应地,能够根据多通道模数转换系统的通道组合方式来完成后台校正逻辑资源的组合优化配置。

    一种带缓冲器的前端采样电路

    公开(公告)号:CN113872602B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202111401177.9

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明提出一种带缓冲器的前端采样电路,包括:采样模块、自举开关、驱动模块、缓冲模块和偏置模块;所述驱动模块包括第一连接端和第二连接端,所述采样模块包括输入端、输出端和偏移端;所述缓冲模块包括输入端、输出端和第三连接端;所述第一连接端与所述自举开关的一端连接,所述自举开关的另一端与所述采样模块的偏移端连接;所述缓冲模块的输入端对接输入信号,所述缓冲模块的输出端分别连接所述第二连接端、所述偏置模块的一端以及所述采样模块的输入端;所述第三连接端与所述第一连接端连接;所述偏置模块的另一端接地;本发明可有效提高采样网络的线性度。

    低功耗差分熔丝型存储器及模数转换器

    公开(公告)号:CN117542396A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311502778.8

    申请日:2023-11-13

    IPC分类号: G11C17/16 G11C17/18

    摘要: 本发明提供一种低功耗差分熔丝型存储器及模数转换器,结合锁存输出模块、差分预编程模块、差分熔丝编程模块及差分编程读取模块设计低功耗差分熔丝型存储器,通过锁存输出模块、差分熔丝编程模块及差分编程读取模块进行数据信号的写入、存储及读取,差分熔丝编程模块包括互补的第一熔丝编程单元和第二熔丝编程单元,在编程时,第一熔丝编程单元中的第一熔丝和第二熔丝编程单元中的第二熔丝中的一个被熔断、另一个未被熔断,以互补方式写入编程数据信号,后续编程数据信号以互补方式读取,并通过锁存输出模块进行比较及锁存输出,能有效纠正编程产生的误差,提升输出的编程数据信号的稳定性,且结构简单、各个模块分时工作,对应静态功耗低。

    系统级误差校正SAR模拟数字转换器

    公开(公告)号:CN106921391B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201710119494.9

    申请日:2017-03-02

    IPC分类号: H03M1/08 H03M1/10

    摘要: 本发明提供一种系统级误差校正SAR模拟数字转换器,包括自举采样开关、第一电容阵列、第二电容阵列、开关阵列、比较器、逐次逼近寄存器异步逻辑模块和用于根据输入的差分信号变化调整工作模式的误差校正比较器;本发明通过比较器在两种工作模式之间切换,可以根据比较器输入信号幅度的差别,使得比较器工作在不同的工作状态,优化了比较器的工作方式,提高了比较器的工作效率,使得整个SARADC的性能进一步提升,并且本发明不需要引入额外的冗余位进行误差校正,简化了设计难度,提高了整个SARADC的工作速度。