• Patent Title: 具有为改进效率配置的低带隙活性层的光敏器件和相关方法
  • Patent Title (English): Photoactive devices having low bandgap active layers configured for improved efficiency and related methods
  • Application No.: CN201480012914.8
    Application Date: 2014-02-21
  • Publication No.: CN105051914A
    Publication Date: 2015-11-11
  • Inventor: F·纽曼
  • Applicant: 索泰克公司
  • Applicant Address: 法国伯尔宁
  • Assignee: 索泰克公司
  • Current Assignee: 索泰克公司
  • Current Assignee Address: 法国伯尔宁
  • Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
  • Agent 吕俊刚; 刘久亮
  • Priority: 61/774,742 2013.03.08 US
  • International Application: PCT/IB2014/000211 2014.02.21
  • International Announcement: WO2014/135944 EN 2014.09.12
  • Date entered country: 2015-09-07
  • Main IPC: H01L31/068
  • IPC: H01L31/068 H01L31/18
具有为改进效率配置的低带隙活性层的光敏器件和相关方法
Abstract:
光敏器件包括活性区域,该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间,并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层,所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对侧的相对更粗糙的后表面,辐射穿过所述前表面进入所述活性层。制造光敏器件的方法包括形成这样的活性区域和电极。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/068 ...只是PN单质结型势垒的,例如体硅PN单质结太阳能电池或薄膜多晶硅PN单质结太阳能电池
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