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公开(公告)号：CN106796965B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580034477.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/043 , H01L31/0693 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 本公开涉及半导体结构及其制造方法。该方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III‑V材料构成的第一接合层，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III‑V材料构成的第二接合层。第一接合层和第二接合层设置在第一元件和第二元件之间，并且第一元件和第二元件在设置于第一接合层和第二接合层之间的接合界面处彼此附接。使用这种方法制造半导体结构。
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公开(公告)号：CN106796965A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580034477.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/043 , H01L31/0693 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 一种制造半导体结构的方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III‑V材料构成的第一接合层，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III‑V材料构成的第二接合层。第一接合层和第二接合层设置在第一元件和第二元件之间，并且第一元件和第二元件在设置于第一接合层和第二接合层之间的接合界面处彼此附接。使用这种方法制造半导体结构。
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公开(公告)号：CN105051914B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480012914.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 索泰克公司
Inventor： F·纽曼
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 光敏器件包括活性区域，该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间，并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层，所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对侧的相对更粗糙的后表面，辐射穿过所述前表面进入所述活性层。制造光敏器件的方法包括形成这样的活性区域和电极。
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公开(公告)号：CN105051914A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480012914.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 索泰克公司
Inventor： F·纽曼
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/1808 , H01L31/186 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 光敏器件包括活性区域，该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间，并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层，所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对侧的相对更粗糙的后表面，辐射穿过所述前表面进入所述活性层。制造光敏器件的方法包括形成这样的活性区域和电极。
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