- 专利标题: 用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术
- 专利标题(英): Through silicon via processing techniques for lateral double-diffused MOSFETS
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申请号: CN201510516801.8申请日: 2012-04-20
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公开(公告)号: CN105070746A公开(公告)日: 2015-11-18
- 发明人: 雪克·玛力卡勒强斯瓦密
- 申请人: 万国半导体股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475
- 专利权人: 万国半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 万国半导体国际有限合伙公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 张静洁; 张妍
- 优先权: 13/095,539 2011.04.27 US
- 分案原申请号: 2012101296371 2012.04.20
- 主分类号: H01L29/417
- IPC分类号: H01L29/417 ; H01L21/74 ; H01L29/78 ; H01L21/768 ; H01L21/336
摘要:
本发明提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管,栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上,所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头,并与所述的栅极、源极和漏极区电连接,所述的沟槽从所述的半导体衬底表面开始,延伸到可控的深度。沟槽接头将源极区和本体区短接。源极接头与所述的源极区电连接,漏极接头与所述的漏极区电连接,所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道对边上。
公开/授权文献
- CN105070746B 用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术 公开/授权日:2018-11-13
IPC分类: