用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术
摘要:
本发明提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管,栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上,所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头,并与所述的栅极、源极和漏极区电连接,所述的沟槽从所述的半导体衬底表面开始,延伸到可控的深度。沟槽接头将源极区和本体区短接。源极接头与所述的源极区电连接,漏极接头与所述的漏极区电连接,所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道对边上。
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