发明授权
- 专利标题: 光电半导体器件及制造其的方法
-
申请号: CN201480023466.1申请日: 2014-01-22
-
公开(公告)号: CN105144380B公开(公告)日: 2017-12-01
- 发明人: 斯特凡·伊莱克 , 马蒂亚斯·扎巴蒂尔
- 申请人: 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
- 申请人地址: 德国雷根斯堡
- 专利权人: 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
- 当前专利权人: 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
- 当前专利权人地址: 德国雷根斯堡
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 梁丽超; 陈鹏
- 优先权: 102013202904.7 2013.02.22 DE
- 国际申请: PCT/EP2014/051250 2014.01.22
- 国际公布: WO2014/127953 DE 2014.08.28
- 进入国家日期: 2015-10-21
- 主分类号: H01L25/16
- IPC分类号: H01L25/16 ; H01L33/62 ; H01L33/64 ; H01L33/48 ; H01L33/54
摘要:
一种光电半导体器件(500)包括:光电半导体芯片(600),具有第一表面(601)和第二表面(602);以及具有保护二极管的保护芯片(700),具有第一表面(701)和第二表面(702)。半导体芯片和保护芯片被嵌入模制体(800)中。第一电接触(610)和第二电接触(620)设置在半导体芯片的第一表面上。第三电接触(710)和第四电接触(720)设置在保护芯片的第一表面上。第一电接触电连接至第三电接触。此外,第二电接触电连接至第四电接触。
公开/授权文献
- CN105144380A 光电半导体器件及制造其的方法 公开/授权日:2015-12-09
IPC分类: