发明授权
- 专利标题: 一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件
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申请号: CN201510703267.1申请日: 2015-10-26
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公开(公告)号: CN105158849B公开(公告)日: 2018-04-03
- 发明人: 王定理 , 傅力 , 李林松 , 王任凡
- 申请人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区潭湖路1号
- 专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区潭湖路1号
- 代理机构: 北京天奇智新知识产权代理有限公司
- 代理商 李振文
- 主分类号: G02B6/13
- IPC分类号: G02B6/13 ; G02B6/122 ; G02B1/115
摘要:
本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件,本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜;在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口;在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导;制作调制电极;对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割,在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜;采用本发明的方法,能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比,改善芯片的光学特性。
公开/授权文献
- CN105158849A 一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件 公开/授权日:2015-12-16