- 专利标题: 纳米级结构的制造方法及使用该方法制造的纳米级结构
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申请号: CN201480021763.2申请日: 2014-04-09
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公开(公告)号: CN105189821B公开(公告)日: 2018-01-26
- 发明人: 崔波 , 里彭·库马尔·戴
- 申请人: 崔波 , 里彭·库马尔·戴
- 申请人地址: 加拿大安大略省滑铁卢市
- 专利权人: 崔波,里彭·库马尔·戴
- 当前专利权人: 杭州探真纳米科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市拱墅区莫干山路841弄23号2幢三层304室
- 代理机构: 北京商专永信知识产权代理事务所
- 代理商 方挺; 葛强
- 优先权: 61/854,110 2013.04.18 US
- 国际申请: PCT/CA2014/050363 2014.04.09
- 国际公布: WO2014/169383 EN 2014.10.23
- 进入国家日期: 2015-10-16
- 主分类号: C23F1/02
- IPC分类号: C23F1/02 ; B82Y40/00 ; C23F1/12 ; G01Q70/16
摘要:
本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻,去除硬质掩模未保护的衬底材料,从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体,制造出高纵横比硅柱阵列。
公开/授权文献
- CN105189821A 纳米级结构的制造方法及使用该方法制造的纳米级结构 公开/授权日:2015-12-23
IPC分类: