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公开(公告)号：CN105189821A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480021763.2
申请日：2014-04-09
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
摘要： 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
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公开(公告)号：CN105189821B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480021763.2
申请日：2014-04-09
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
摘要： 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
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公开(公告)号：CN204138341U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420171106.3
申请日：2014-04-09
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
摘要： 本实用新型涉及一种硅衬底上的硅柱阵列，每个硅柱在衬底上一体成型，每个硅柱包括：与衬底相距的顶点，在衬底上一体成型的基座，和延伸于顶点和基座之间的柱体，所述柱体的横截面形状在其长度范围内相同，其中，该柱体的轴纵横比大于基座的纵横比。
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