- 专利标题: 喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法
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申请号: CN201510615788.1申请日: 2015-09-24
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公开(公告)号: CN105200397B公开(公告)日: 2018-07-10
- 发明人: 方文卿 , 王小兰 , 莫春兰 , 汤绘华 , 佟金山 , 朱绪元
- 申请人: 南昌大学
- 申请人地址: 江西省南昌市南京东路235号
- 专利权人: 南昌大学
- 当前专利权人: 南昌大学
- 当前专利权人地址: 江西省南昌市南京东路235号
- 代理机构: 江西省专利事务所
- 代理商 张文
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C30B25/14 ; C23C16/02 ; C30B25/02
摘要:
本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法,喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔,这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管,大幅减少了喷气孔内表面积,从而减少了外延的记忆效应;喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺,所以喷头能耐受氯气在线清洗,从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控,使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产;喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成,根除了毛细管壁薄漏水的隐患,能满足半导体行业苛刻的密封要求。
公开/授权文献
- CN105200397A 喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法 公开/授权日:2015-12-30
IPC分类: