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公开(公告)号：CN114822378B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN116539154A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310583997.7
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于鉴别紫外光成分的便携分光器，其结构特点是：包含两个大小不同的凸透镜、一个含有圆形镂空孔的滤光屏、一个含有长条形镂空孔的滤光屏、一个长棱镜、一个内壁高度吸光的外壳、一个可拆卸的上盖、一个荧光屏、一个反射镜、一个目镜。本发明的优点是：（1）可在不使用光谱仪的条件下，使人眼清晰辨别出光源是否含有紫外光成分；（2）与市场上常见的光谱仪相比成本更低廉，且更方便携带。
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公开(公告)号：CN112242465A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010932387.X
申请日：2020-09-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管，依次包括基板，设置于基板之上的n型层，产生六棱锥凹坑构造的准备层，含有六棱锥凹坑的单量子阱或多量子阱结构的发光层和p型层。所述p型层完全填充产生于准备层并贯穿发光层的六棱锥凹坑，同时高于发光层平面之上的厚度介于0nm‑‑30nm之间。此结构既能实现空穴经由六棱锥凹坑侧壁高效率地注入至发光层，同时可有效减少p型层对发光层发出的光的吸收，并减少p型层侧面的出光，从而提升氮化物发光二极管的电光转换效率和正面出光比例。
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公开(公告)号：CN108389894A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810270885.5
申请日：2018-03-29
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN108305920A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1-y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN106910804A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118473525A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410600856.6
申请日：2024-05-15
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H04B10/116
摘要： 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN118073394A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410328160.2
申请日：2024-03-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法，其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法，通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元，并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光，再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板，可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示，简化了集成工艺的复杂性。此外，在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面，且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立，互不相连，所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接，使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线，即可实现阴极接触面的布线，进而简化了布线工艺。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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