- 专利标题： 一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法
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申请号： CN201510627036.7申请日： 2015-09-28
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公开(公告)号： CN105226503B公开(公告)日： 2018-05-18
- 发明人: 王庶民
- 申请人： 超晶科技(北京)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2层商业5-042
- 专利权人： 超晶科技(北京)有限公司
- 当前专利权人： 宁波超晶光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 315000 浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号（自主申报）
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; C09K11/74 ; C09K11/62
摘要：
本发明提供一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法，包括InxGa1‑xAs材料层及GaAs1‑yBiy材料层，其中，0
公开/授权文献
- CN105226503A 一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 公开/授权日：2016-01-06
