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公开(公告)号：CN111463106B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010255053.3
申请日：2020-04-02
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请公开了一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法，涉及图案设计及图案制备领域。本申请根据所需制备图案特征，首先选择与新图案尺寸相匹配的光刻掩膜版；然后采用光刻工艺在垂直性好的光刻胶上进行初始图案化，在衬底上形成一层具有功能化阵列镂空图案的光刻胶；进一步选择非垂直镀膜的工艺方法，在上一步初始图案上进行目标材料一层或多层的沉积；最后选择去胶液或丙酮剥离得到目标设计的图案阵列。通过上述工艺，本申请能够减少光刻图案对掩膜版的依附性和降低光刻工艺成本，同时还可以实现复杂图案，且提高良率。本申请还可应用于光电半导体领域，解决相关技术中无法形成像素电极图案的问题，而且可应用于半导体器件中制造精细图案的工艺。
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公开(公告)号：CN109920861B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910198751.1
申请日：2019-03-15
申请人： 诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01S5/343
摘要： 本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN107706297B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710956939.9
申请日：2017-10-16
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
摘要： 本发明涉及热电转换元件领域，提供了一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法，所述热电转换元件由P型半导体和N型半导体组成，其中所述P型半导体和所述N型半导体以串联方式电连接并以并联方式热连接，所述P型半导体包含β型碲化硅材料。本发明所提供的热电转换元件具有高塞贝克系数，高电导率及低热导率低。因此本发明所提供的热电转换元件具有较高的热电转换效率。
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公开(公告)号：CN105226503B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510627036.7
申请日：2015-09-28
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
发明人： 王庶民
摘要： 本发明提供一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法，包括InxGa1‑xAs材料层及GaAs1‑yBiy材料层，其中，0
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公开(公告)号：CN107910750A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710509143.9
申请日：2017-06-28
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3434
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。
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公开(公告)号：CN107910403A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710507526.2
申请日：2017-06-28
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种量子阱红外探测器件材料的制备方法，包括提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，之后在缓冲层上生长牺牲层，之后在牺牲层上生长半导体薄膜层；以半导体薄膜层为注入面，对半导体晶片进行离子注入，在牺牲层内形成缺陷层，之后将半导体薄膜层与受体衬底正面键合并对键合结构进行退火处理，之后将半导体薄膜层沿缺陷层从供体衬底剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有受体基底的第二基底，后在去除牺牲层的第二基底上生长量子阱红外探测器结构。本发明采用含铝化合物作为牺牲层，利用层裂之后含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的受体衬底材料和半导体供体衬底材料表面洁净。
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公开(公告)号：CN107910388A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710524019.X
申请日：2017-06-30
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L31/0304 , H01S5/343
摘要： 本发明涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN1-xBix，其中，0
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公开(公告)号：CN107768459A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711001047.X
申请日：2017-10-24
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01S5/343
摘要： 本发明涉及材料学领域，特别是一种铟磷氮铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器和探测器及其制备方法，所述铟磷氮铋材料包括：磷化铟衬底；磷化铟缓冲层，设置在所述磷化铟衬底之上；及铟磷氮铋本体，设置在所述磷化铟缓冲层之上；所述铟磷氮铋本体的化学式为InP1-x-yNxBiy，其中x和y是分别是N原子和铋原子的浓度百分比，且0
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公开(公告)号：CN107910402B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710508453.9
申请日：2017-06-28
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种铟镓砷红外探测器件材料的制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从外延薄层侧进行离子注入，在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，后将最上一层的外延薄层与硅受体衬底键合，并进行退火处理，使顶层薄膜剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理；重复本步骤得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层的InP供体衬底；6)在柔性衬底上进行InGaAs探测器结构外延生长。本发明为衬底可重复利用、柔性衬底可大规模集成、省去减薄工艺的铟镓砷红外探测器件制备方法。
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公开(公告)号：CN107910404A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710509115.7
申请日：2017-06-28
申请人： 超晶科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，2)生长牺牲层，并在所述牺牲层上形成外延薄层；3)重复步骤2)至形成多个上述牺牲层与外延薄层；4)将受体衬底和最外一层的外延薄层进行键合，并使用离子注入在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，并将键合结构剥离得到含有受体衬底的柔性基底，剥离键合结构后残留的部分为第一基底；5)去除第一基底表面的牺牲层，并对去除牺牲层后的第一基底重复采用步骤4)的方法逐层剥离外延薄层，得到多个含有外延薄层和受体基底的柔性基底和残余有牺牲层的供体衬底。本发明克服了现有技术制备碲镉汞红外探测器件材料时存在的缺陷。
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