Invention Publication
- Patent Title: 多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置
- Patent Title (English): Treating apparatus for chlorosilane-containing tail gas produced in polysilicon production process
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Application No.: CN201410390226.7Application Date: 2014-08-08
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Publication No.: CN105327600APublication Date: 2016-02-17
- Inventor: 周玲英 , 孙荣义 , 刘顶锐 , 苏明 , 冯晓东 , 宋玲玲 , 蔺明明 , 其他发明人请求不公开姓名
- Applicant: 新特能源股份有限公司
- Applicant Address: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园
- Assignee: 新特能源股份有限公司
- Current Assignee: 新特能源股份有限公司
- Current Assignee Address: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 罗建民; 邓伯英
- Main IPC: B01D53/75
- IPC: B01D53/75 ; B01D53/78 ; B01D53/70 ; B01D53/96

Abstract:
本发明公开了一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,包括:尾气储罐,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;工业水一级淋洗塔,与尾气储罐连接,工业水一级淋洗塔用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;碱液二级淋洗塔,与工业水一级淋洗塔连接,碱液二级淋洗塔用于将经过工业水一级淋洗塔淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。通过工业水一级淋洗塔内的工业水一级淋洗后,在塔顶聚集氯化氢、氮气和氢气,再通过碱液二级淋洗塔,吸收掉氯化氢,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气。该装置不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。
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