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公开(公告)号：CN118258398A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410285896.6
申请日：2024-03-12
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： G01C21/20
摘要： 本发明公开了一种巡检路径规划方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：可以获取目标车间的栅格地图和巡检路径，巡检路径包括多个子路径，子路径为相邻两个巡检点之间的巡检路径，巡检点关联有巡检任务；在接收到用户输入的障碍信息的情况下，在所述栅格地图中标记所述障碍物的障碍区域和影响区域；根据障碍区域和影响区域，确定受障碍物影响的待规划子路径和待规划巡检点，然后对待规划子路径以及受影响的待规划巡检点的巡检任务进行重新规划，最终更新整个巡检路径和巡检点关联的巡检任务，确保巡检机器人能够有效绕过障碍物，完成巡检任务，从而保证巡检的连续性和效率。
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公开(公告)号：CN118083987A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410181293.1
申请日：2024-02-18
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆新特晶体硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , G06F30/28 , F17D1/02 , F17D3/01 , G06F119/14 , G06F113/08
摘要： 本发明公开一种还原炉气体置换方法、装置以及多晶硅生产系统，该方法包括：对还原炉进行仿真模拟，得到还原炉的气体置换参数。根据气体置换参数中第一流体参数，控制第一调节阀和卸压阀门的开启或关闭，向还原炉内进行第一置换气体的充压和吹扫，第一置换气体为保护性气体，以完成还原炉的第一阶段置换。根据气体置换参数中第二流体参数，控制第二调节阀和卸压阀门的开启或关闭，向还原炉内进行第二置换气体的吹扫，以完成还原炉的第二阶段置换。该置换方法能够高效且低成本地对还原炉中的气体进行置换，且能够降低气体置换过程中的安全风险。
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公开(公告)号：CN117920072A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410055191.5
申请日：2024-01-12
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： B01J8/24 , C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种高沸氯化炉及高沸物处理系统，用于使高沸氯化炉中的氯气和气相高沸物混合均匀，改善气相高沸物出现冷凝而堵塞氯气的进气管道的情况。该高沸氯化炉包括炉体(1)、气体分布器(2)、第一多孔介质(4)、气体预混空腔(5)和高沸入口装置(3)。气体分布器(2)固定在炉体(1)的底部。第一多孔介质(4)设置在内腔内，且位于气体分布器(2)的上方。气体预混空腔(5)位于第一多孔介质(4)的上方。气体分布板(6)和第一多孔介质(4)之间具有空隙，内腔位于气体分布板(6)和第一多孔介质(4)之间的部分，形成气体预混空腔(5)。高沸入口装置(3)固定在炉体(1)的底部。
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公开(公告)号：CN115557506B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211173744.4
申请日：2022-09-26
申请人： 新特能源股份有限公司 , 内蒙古新特硅材料有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明公开一种多晶硅生产过程中渣浆处理工艺，包括以下步骤：S100，将渣浆通入渣浆沉降罐，加入络合剂，混合均匀，使渣浆中的金属杂质与络合剂发生络合反应，静置，得到上部清液和底部沉渣；S200，将所述上部清液输送至侧采过滤器中进行过滤，将过滤后的液体输送至硅烷回收罐，将过滤后的滤渣排出至干燥机进行干燥，将干燥产生的气相物冷凝，将冷凝液输送至硅烷回收罐，将干燥后得到的固相物冷却后输送至水解器进行中和反应；S300，将所述底部沉渣排出至干燥机进行干燥，将干燥产生的气相物冷凝，将冷凝液输送至硅烷回收罐，将干燥后得到的固相物冷却后输送至水解器进行中和反应。本发明可以对硅烷进行回收，且硅烷回收率高，金属杂质含量低。
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公开(公告)号：CN117861616A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311692289.3
申请日：2023-12-08
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆新特晶体硅高科技有限公司
摘要： 本发明公开一种用于氯硅烷提纯的吸附剂、方法及系统，该吸附剂包括功能化活性炭吸附剂、有机基团功能化介孔分子筛吸附剂以及功能基团改性多壁碳纳米管吸附剂，功能化活性炭吸附剂为包含咪唑基或苄基或酮肟基的改性活性炭中的一种或多种；有机基团功能化介孔分子筛吸附剂为包含氯苯基或偕氨肟基或咯嗪基的改性介孔分子筛中的一种或多种；功能基团改性多壁碳纳米管吸附剂为包含肼基或偕双腈基或喹啉基的改性多壁碳纳米管中的一种或多种。本发明的吸附剂比表面积大、选择性强，可以有效去除氯硅烷中的磷杂质、硼杂质以及金属杂质，相比于传统技术，可以避免树脂吸附剂洁净度无法有效控制、成本高、存在热分解风险等问题。
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公开(公告)号：CN112028926B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910477294.X
申请日：2019-06-03
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C07F7/20 , C07F7/12 , C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种脱除有机硅单体共沸物中的四氯化硅的分离装置及分离方法，分离装置包括：第一分离塔，用于将有机硅单体共沸物进行分离；固定床反应器，与第一分离塔的塔顶连接，第一分离塔的塔顶物料流入到固定床反应器内与二氯二氢硅产品，在催化剂的催化作用下，发生反歧化反应生成三氯氢硅；第二分离塔，与固定床反应器连接，第二分离塔用于对固定床反应器流出的物料进行分离，在第二分离塔的塔釜得到三甲基一氯硅烷产品，在第二分离塔的塔顶得到二氯二氢硅产品。本发明中的方法可以大大降低现有技术中的精馏装置的负荷，去除有机硅单体共沸物中四氯化硅共沸物，将四氯化硅转化为三氯氢硅。
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公开(公告)号：CN117619150A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410036730.0
申请日：2024-01-09
申请人： 新特能源股份有限公司 , 内蒙古新特硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种板框式薄膜蒸馏组件及系统、蒸馏方法，用于增加板框式薄膜蒸馏组件内待蒸馏料液的扰动，减弱温度极化和浓度极化现象对蒸馏速度的影响。该板框式薄膜蒸馏组件包括板框(5)、功能薄膜和扰流杆(6)。板框(5)具有相对的进料口板(51)和出料口板(52)，以及位于进料口板(51)和出料口板(52)之间的相对的两个侧板(53)。功能薄膜盖设在板框(5)的顶侧和底侧，功能薄膜与板框(5)围成的区域形成待蒸馏料液的流通通道。扰流杆(6)固定在流通通道内；扰流杆(6)上设置有切口(3)；由进料口流入的待蒸馏料液中的一部分，经过切口(3)后，从出料口流出。
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公开(公告)号：CN117258800A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311138330.2
申请日：2023-09-04
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
摘要： 本发明公开一种硅氢加成催化剂，其包括载体和活性组分，所述载体为坡缕石原位生长水滑石，所述活性组分为金属铂和过渡金属的组合物。本发明还公开一种硅氢加成催化剂的制备方法和硅氢加成催化剂在合成乙烯基三氯硅烷中的应用。本发明硅氢加成催化剂催化效率高，选择性好，容易分离回收和重复利用，可以降低催化剂成本。
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公开(公告)号：CN116986597A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210448152.2
申请日：2022-04-26
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , B01J27/138 , B01J23/80 , B01J23/83
摘要： 本发明提供一种聚氯硅氧烷催化裂解制备氯硅烷的方法，所述方法为：向反应器中加入高沸物原料、氯源、催化剂和还原剂，发生催化裂解反应生成四氯化硅；高沸物原料包括聚氯硅烷与聚氯硅氧烷中的至少一种；其中，所述催化剂为负载型催化剂，所述催化剂的载体原料为多孔材料，所述催化剂的活性组分包括铜、镍、锌和稀土元素中的至少一种。本发明中的方法能有效打开Si‑Si键和Si‑O键，实现多晶硅生产过程中产生的高沸物如聚氯硅烷、聚氯硅氧烷的裂解，尤其是含氧聚氯硅烷的裂解。在还原剂、催化剂以及硅基添加剂的共同作用，使聚氯硅氧烷的转化率更高，且能有效降低反应能耗。
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公开(公告)号：CN116880377A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310742606.1
申请日：2023-06-20
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置，该控制方法，包括：获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值，判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流，对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态，并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正，能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制，进而能够统一产品标准，提高产品品质。
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