本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极结构，所述栅极结构包括依次形成的浮栅和控制栅；步骤S2：在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隙壁并进行回蚀刻，以去除所述控制栅顶部侧壁上的所述第一间隙壁，露出所述控制栅顶部的侧壁；步骤S3：氧化露出的所述控制栅顶部的侧壁，以形成氧化物绝缘层；步骤S4：沉积第二间隙壁材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述栅极结构；步骤S5：沉积层间介电层并在所述层间介电层中形成位于所述栅极结构之间的接触孔。所述方法能够增加所述控制栅顶部和接触孔之间的间距，防止所述控制栅和所述接触孔发生桥连。