发明公开
CN105372849A 一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法
- 专利标题(英): Silicon-based waveguide optical switch based on amorphous silicon memristive effect and manufacturing method thereof
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申请号: CN201510847861.8申请日: 2015-11-27
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公开(公告)号: CN105372849A公开(公告)日: 2016-03-02
- 发明人: 李伟 , 郭安然 , 宋钦剑 , 郭国辉 , 李东阳 , 蒋亚东
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 葛启函
- 主分类号: G02F1/01
- IPC分类号: G02F1/01 ; G02B6/12 ; G02B6/122
摘要:
本发明属于光开关技术领域,具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为,本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极;所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导,所述非晶硅层位于硅基波导中部脊形凸起结构的上表面;所述银电极位于非晶硅层的上表面;所述金属电极位于硅基波导中部脊形凸起结构一侧的硅基波导平面部分上表面。本发明的有益效果为,本发明具有尺寸小的优点,同时还具备较强的稳定性,受温度和电压的波动影响小,并且还具有良好的抗辐照特性。
公开/授权文献
- CN105372849B 一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法 公开/授权日:2018-08-24