发明公开
- 专利标题: 一种能提高原子束密度的原子发生器
- 专利标题(英): Atom generator capable of improving atomic beam density
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申请号: CN201510769696.9申请日: 2015-11-12
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公开(公告)号: CN105376923A公开(公告)日: 2016-03-02
- 发明人: 李小平 , 雷敏 , 丁甜田
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 梁鹏
- 主分类号: H05H3/02
- IPC分类号: H05H3/02
摘要:
本发明公开了一种能提高原子束流量密度的原子发生器,包括真空法兰、气路组件、加热装置和隔热冷却装置,气路组件包括供气源、真空微调阀、气体引入法兰、供气管、陶瓷套和钨毛细管;加热装置包括直流稳压电源、电引入法兰和钨加热子;隔热冷却装置包括冷却水引入法兰、铜套、钼隔热层和冷却块,铜套上设置有冷却水道,钼隔热层的下端设置有作为原子束出口的第一圆孔,铜套上设置有作为原子束出口的第二圆孔,并且所述钨毛细管、第一圆孔、第二圆孔的轴线重合。本发明出口处原子角度分布上,小极角范围内的原子流量密度得到增加,使原子发生器的工作效率得到提升,同时抑制了大极角的原子流量密度,减小了对周围元器件的影响。
公开/授权文献
- CN105376923B 一种能提高原子束密度的原子发生器 公开/授权日:2018-03-09
IPC分类: