发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201480038882.9申请日: 2014-07-02
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公开(公告)号: CN105378933B公开(公告)日: 2018-11-16
- 发明人: 山下胜重 , 青木成刚
- 申请人: 松下知识产权经营株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人: 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 徐殿军
- 优先权: 2013-145211 2013.07.11 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/003527 2014.07.02
- 国际公布: WO2015/004883 JA 2015.01.15
- 进入国家日期: 2016-01-07
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78
摘要:
半导体装置具有形成于主体区域内部并与主体区域电连接的第二导电型的背栅电极,进行从漏极区域向源极区域和从源极区域向漏极区域的双向的电流控制,背栅电极的薄膜电阻值小于主体区域的薄膜电阻值,源极区域和漏极区域以即使对源极区域和漏极区域之间施加最大动作电压时在源极区域和背栅电极之间也不产生击穿现象的间隔配置。
公开/授权文献
- CN105378933A 半导体装置 公开/授权日:2016-03-02