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发明公开
CN105390514A 固态成像装置及其制造方法 有权

固态成像装置及其制造方法
摘要：
本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。
摘要（英）：

An aspect of the invention is a solid-state image capturing device that includes a P-type well (12), an N-type low concentration diffusion layer (18) formed in the P-type well (12), a P-type surface diffusion layer 16 formed on a surface of the N-type low concentration diffusion layer (18), and a P-type high concentration well (15) formed in a boundary region between a side surface of the N-type low concentration diffusion layer (18) and the P-type well (12).

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