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    固态成像元件及其制造方法
    1.
    发明授权
    固态成像元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106373972B

    公开(公告)日：2021-12-21

    申请号：CN201610580088.8

    申请日：2016-07-21

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 関泽充生 ,  桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  远藤刚廣

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/06

    摘要： 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件具备：第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，其位于半导体层内，并且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的区域内；第二导电型的第二杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧以及内侧的区域内；第一导电型的第三杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的第二端部相比靠外侧的第二杂质区域的上层，且与第二杂质区域相接。

    固态成像装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    固态成像装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105633106A

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201510825492.2

    申请日：2015-11-24

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 中村纪元

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。

    光谱传感器及其制造方法
    5.
    发明公开
    光谱传感器及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN104078476A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：CN201410123124.9

    申请日：2014-03-28

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 中村纪元 ,  花冈辉直 ,  矢野邦彦

    IPC分类号： H01L27/146 ,  G01J3/36 ,  G01J3/02

    CPC分类号： H01L31/02165 ,  A61B5/14552 ,  A61B2562/0238 ,  A61B2562/046 ,  A61B2562/12 ,  A61B2562/164 ,  H01L31/02024

    摘要： 本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括：在半导体基板上形成受光元件的工序（a）；在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序（b）；在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序（c）。形成光谱滤波器的工序（c）包括如下工序：工序（c1），通过剥离法而形成第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部；工序（c2），通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。

    固态成像元件及其制造方法
    6.
    发明授权
    固态成像元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105990388B

    公开(公告)日：2021-07-09

    申请号：CN201610150684.2

    申请日：2016-03-16

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/8238

    摘要： 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N－型杂质区域(15a)，其与P－型杂质区域(17)相接且与栅极绝缘膜相接；N－－型杂质区域(15)，其在俯视观察时包围N－型杂质区域(15a)的至少一部分。

    固态成像装置及其制造方法
    7.
    发明授权
    固态成像装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105633106B

    公开(公告)日：2020-08-04

    申请号：CN201510825492.2

    申请日：2015-11-24

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 中村纪元

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。

    固体摄像元件及其制造方法
    9.
    发明公开
    固体摄像元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105990387A

    公开(公告)日：2016-10-05

    申请号：CN201610134503.7

    申请日：2016-03-09

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689

    摘要： 本发明为一种固体摄像元件，其包括：P阱(12)；栅绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的引脚层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱中；P‑型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的所述P阱中，且与所述引脚层接触；N‑型杂质区域(15)，其位于所述引脚层以及所述P‑型杂质区域下方的所述P阱中，且在与所述P‑型杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；N+型杂质区域(24)，其位于所述栅电极的第二端部(20b)的下方的所述P阱中。

    固态成像装置及其制造方法
    10.
    发明公开
    固态成像装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105390514A

    公开(公告)日：2016-03-09

    申请号：CN201510531863.6

    申请日：2015-08-26

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 中村纪元

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/82

    摘要： 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。