Invention Grant
- Patent Title: 功率器件及其制造方法
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Application No.: CN201510337512.1Application Date: 2015-06-17
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Publication No.: CN105428404BPublication Date: 2021-02-19
- Inventor: 全在德 , 金永哲 , 朴庆锡 , 金镇明 , 崔嵘澈
- Applicant: 快捷韩国半导体有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 快捷韩国半导体有限公司
- Current Assignee: 快捷韩国半导体有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 浦彩华; 姚开丽
- Priority: 10-2015-0078244 2015.06.02 KR
- Main IPC: H01L29/739
- IPC: H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L29/66
Abstract:
本发明提供了功率器件及其制造方法。一种具有快速开关特性、同时保持EMI噪声为最小的功率器件,并提供了一种制造这样的功率器件的方法。所述功率器件包括:第一场阑层,所述第一场阑层具有第一导电类型;第一漂移区,所述第一漂移区形成于所述第一场阑层上,并具有呈低于所述第一场阑层的杂质浓度的第一导电类型;掩埋区,所述掩埋区形成于所述第一漂移区上,并具有呈高于所述第一漂移区的杂质浓度的所述第一导电类型;第二漂移区,所述第二漂移区形成于所述掩埋区上;功率器件单元,所述功率器件单元形成于所述第二漂移区的上部处;以及集电极区,所述集电极区形成于所述第一场阑层的下方。
Public/Granted literature
- CN105428404A 功率器件及其制造方法 Public/Granted day:2016-03-23
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IPC分类: