公开(公告)号：CN118888578A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411055990.9

申请日：2024-08-02

申请人： 上海鼎阳通半导体科技有限公司

发明人： 陈为真

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种IGBT器件，有源区中包括沟道区域和假栅区域。沟道区域中包括：漂移区，体区和沟槽栅。被沟槽栅侧面覆盖的体区表面用于形成导电沟道。发射区通过顶部连接到由正面金属层组成的发射极。假栅区域中包括沟槽假栅。在假栅区域的体区表面区域中未形成所述发射区，被沟槽栅侧面覆盖的体区表面不会形成导电沟道；在假栅区域的所述体区表面区域中形成有第二导电类型的第一注入区，第一注入区和体区的第二导电类型杂质相叠加形成第二导电类型载流子引出区。第二导电类型载流子引出区顶部连接到发射极。本发明还公开了一种IGBT器件的制造方法。本发明能提高假栅区域收集第二导电类型的载流子能力，减少沟道区域电流，提高IGBT的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN118841443A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410721013.1

申请日：2024-06-05

申请人： 南京南瑞半导体有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司

发明人： 高东岳 ,  张大华 ,  叶枫叶 ,  钱培华

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及半导体功率器件结构设计技术领域，特别是一种深接触孔绝缘栅双极晶体管元胞结构及制造方法，其包括N型漂移区、设置于N型漂移区上侧的接触沟槽、设置于N型漂移区上侧的P型体区、设置于P型体区上侧的N+型发射区、设置于N+型发射区上侧的多晶硅层，设置于多晶硅层下侧的场氧化层、设置于多晶硅层和场氧化层上侧的介质层、设置于介质层一侧的发射极金属化层，以及设置于N型漂移区背面的P+背面金属化层。本发明的有益效果为通过各结构配合使器件能够适用于高电压环境，实现快速开关，提高了电子注入效率，增强器件的导电效率，优化了器件内部的电场分布，提高器件的性能和可靠性，提高了器件的功率处理能力，提高了整体结构的适用性。

公开(公告)号：CN118841322A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410899695.5

申请日：2024-07-05

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 董春燕 ,  苟学鑫 ,  曹学文 ,  颜天才 ,  杨列勇

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供半导体器件加工方法及半导体器件。提供半导体基底；在半导体基底上成长外延层，所述外延层顺次包括P型外延区域、第一N型外延区域和第二N型外延区域，在所述第二N型外延区域上半导体器件；所述P型外延区域为硅锗外延层；所述P型外延区域重掺杂硼；所述第一N型外延区域为重掺杂N+外延层，所述第二N型外延区域为轻掺杂N‑外延层；对半导体器件进行刻蚀，刻蚀停止区域位于P型外延区域的上部。

公开(公告)号：CN118841319A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410827314.2

申请日：2020-03-06

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I·莫德 ,  B·戈勒 ,  T·F·W·黑希鲍尔 ,  R·鲁普 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

摘要： 公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。

公开(公告)号：CN118800771A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411188465.4

申请日：2024-08-27

申请人： 上海积塔半导体有限公司

发明人： 曹功勋

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

摘要： 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体制造技术领域，包括IGBT版图层，IGBT版图层包括沿第一方向依次间隔排布的多个单元区；其中，多个单元区中每个单元区包括多个条状沟槽区及多个条状发射极注入区，多个条状发射极注入区沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，多个条状沟槽区沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布。栅条层，周向环绕多个单元区。离子注入区，位于沿第二方向相邻的条状发射极注入区之间、栅条层与相邻条状发射极注入区之间，以及栅条层与相邻条状沟槽区之间。在无发射极掩膜版下，可保证小pitch IGBT具有短路能力，节省一张发射极掩膜版，节约制造成本。

公开(公告)号：CN113632236B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202080024662.6

申请日：2020-09-15

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  根本道生 ,  安喰彻 ,  小野泽勇一

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。

公开(公告)号：CN111725309B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201911413071.3

申请日：2019-12-31

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 末代知子 ,  岩鍜治阳子 ,  诹访刚史

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 一种半导体装置及其控制方法，能够降低导通电阻以及开关损失的双方。半导体装置具备半导体部、第一电极、第一～第三控制电极、第二电极。上述半导体部位于上述第一电极与上述第二电极之间。上述第一～第三控制电极分别设置在上述第一电极与上述半导体部之间，被从上述半导体部以及上述第一电极电绝缘，分别独立地被施加偏压。上述半导体部还包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、第一导电型的第三层、第二导电型的第四层。第二层选择性地设置在上述第一层与上述第一电极之间。第三层选择性地设置在上述第二层与上述第一电极之间。第四层设置在上述第一层与上述第二电极之间。第二层配置成隔着绝缘膜而与上述第一～第三控制电极面对。

公开(公告)号：CN109935632B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201811531736.6

申请日：2018-12-14

申请人： 英飞凌科技德累斯顿公司

发明人： A.毛德 ,  T.金齐希 ,  F-J.尼德诺斯泰德 ,  C.P.桑多

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100 nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。

公开(公告)号：CN118786531A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202280092813.0

申请日：2022-03-03

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小山皓洋 ,  岩松俊明

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 半导体装置具备：场绝缘膜（10），与形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）相接，覆盖在栅极沟槽（6）的延伸方向上离栅极沟槽（6）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的上方地从终端沟槽（7）的内侧到外侧而形成，厚度比栅极绝缘膜（8）的厚度厚；以及第2栅极电极（13），与场绝缘膜（10）之上和形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）之上相接，在栅极沟槽（6）的延伸方向上从终端沟槽（7）的内侧到外侧而承载到场绝缘膜（10），通过该结构，能够防止在栅极引出部（70）形成于离活性区域（40）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的栅极绝缘膜（8）破坏。

公开(公告)号：CN115472667B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202111299798.0

申请日：2021-11-04

申请人： 上海林众电子科技有限公司

发明人： 杨绍明 ,  杨磊 ,  方建强

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；形成N+发射极以及形成P+发射极；对栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；在N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；于P型离子注入层背向述N型基板背面执行金属工艺。其技术方案的有益效果在于，其在电荷平衡制程条件下，超级结的双极晶体管的崩溃电压值是由P型复晶硅柱深度决定，有利不同额定电压之功率器件发展。