发明公开
CN105439635A 一种新型高介电复合材料的低温制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种新型高介电复合材料的低温制备方法
- 专利标题(英): Low-temperature preparation method of novel highly-dielectric composite material
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申请号: CN201510818328.9申请日: 2015-11-19
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公开(公告)号: CN105439635A公开(公告)日: 2016-03-30
- 发明人: 史志成 , 王婧 , 毛凡
- 申请人: 中国海洋大学
- 申请人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路238号
- 专利权人: 中国海洋大学
- 当前专利权人: 中国海洋大学
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路238号
- 主分类号: C04B41/50
- IPC分类号: C04B41/50 ; C04B41/85
摘要:
本发明涉及一种新型高介电复合材料的低温制备方法,本发明中利用多孔陶瓷片在金属盐浸渍液浸渍后,进行真空处理,将真空处理后的多孔陶瓷片埋入陶瓷粉体中干燥得到金属盐/陶瓷复合前驱体,在300-700℃温度下对金属盐/陶瓷复合前驱体进行煅烧得到金属氧化物/陶瓷复合前驱体,然后在300-700℃温度下同时通入还原性气体进行煅烧还原得到多孔金属/陶瓷复合材料。本发明中多孔陶瓷基体中均匀地负载具有不同微观形貌的导电相,添加极少量的导电相便可获得远高于基体的介电常数。
公开/授权文献
- CN105439635B 一种高介电复合材料的低温制备方法 公开/授权日:2017-11-14