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公开(公告)号：CN106218188B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610596950.4
申请日：2016-07-27
申请人： 中国海洋大学
摘要： 本发明公开了一种具有叠层结构的高介电、低损耗复合材料的制备方法，涉及复合材料的制备技术领域。其是以正介电材料与负介电材料为原料，并将二者通过热压叠层，即得复合材料。本发明通过正介电材料和负介电材料进行叠层和正、负介电材料的厚度和数值的匹配，从而提高介电常数。本发明制备得到的复合材料在保持10‑2数量级低损耗的同时可以获得显著提升的介电常数。
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公开(公告)号：CN105439635A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510818328.9
申请日：2015-11-19
申请人： 中国海洋大学
摘要： 本发明涉及一种新型高介电复合材料的低温制备方法，本发明中利用多孔陶瓷片在金属盐浸渍液浸渍后，进行真空处理，将真空处理后的多孔陶瓷片埋入陶瓷粉体中干燥得到金属盐/陶瓷复合前驱体，在300-700℃温度下对金属盐/陶瓷复合前驱体进行煅烧得到金属氧化物/陶瓷复合前驱体，然后在300-700℃温度下同时通入还原性气体进行煅烧还原得到多孔金属/陶瓷复合材料。本发明中多孔陶瓷基体中均匀地负载具有不同微观形貌的导电相，添加极少量的导电相便可获得远高于基体的介电常数。
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公开(公告)号：CN106218188A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610596950.4
申请日：2016-07-27
申请人： 中国海洋大学
摘要： 本发明公开了一种具有叠层结构的高介电、低损耗复合材料的制备方法，涉及复合材料的制备技术领域。其是以正介电材料与负介电材料为原料，并将二者通过热压叠层，即得复合材料。本发明通过正介电材料和负介电材料进行叠层和正、负介电材料的厚度和数值的匹配，从而提高介电常数。本发明制备得到的复合材料在保持10-2数量级低损耗的同时可以获得显著提升的介电常数。
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公开(公告)号：CN105439635B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510818328.9
申请日：2015-11-19
申请人： 中国海洋大学
摘要： 本发明涉及一种新型高介电复合材料的低温制备方法，本发明中利用多孔陶瓷片在金属盐浸渍液浸渍后，进行真空处理，将真空处理后的多孔陶瓷片埋入陶瓷粉体中干燥得到金属盐/陶瓷复合前驱体，在300‑700℃温度下对金属盐/陶瓷复合前驱体进行煅烧得到金属氧化物/陶瓷复合前驱体，然后在300‑700℃温度下同时通入还原性气体进行煅烧还原得到多孔金属/陶瓷复合材料。本发明中多孔陶瓷基体中均匀地负载具有不同微观形貌的导电相，添加极少量的导电相便可获得远高于基体的介电常数。
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