Invention Publication
- Patent Title: 光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片
- Patent Title (English): Photomask, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device and memory chip
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Application No.: CN201410345526.3Application Date: 2014-07-18
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Publication No.: CN105446070APublication Date: 2016-03-30
- Inventor: 李绍彬 , 杨芸 , 仇圣棻
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- Agent 吴贵明; 张永明
- Main IPC: G03F1/00
- IPC: G03F1/00 ; H01L21/308

Abstract:
本申请公开了一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片。该光掩膜版,包括光图形区以及光阻挡区,其中光图形区包括至少一个源线图形单元和至少一个漏极接触孔图形单元。采用该光掩膜版进行光刻的过程中,光能够穿过源线图形单元和漏极接触孔图形单元照射在光刻胶上并使得光刻胶发生感光,再采用腐蚀液去除感光的光刻胶以形成源线和漏极接触端的图形,从而减少了光刻的次数,进而简化了半导体器件的制作工艺流程,并降低半导体器件的制作成本。
Public/Granted literature
- CN105446070B 光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片 Public/Granted day:2019-11-08
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