在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。