- 专利标题: 氮化硼-树脂复合体电路基板、氮化硼-树脂复合体散热板一体型电路基板
- 专利标题(英): Boron nitride/resin composite circuit board, and circuit board including boron nitride/resin composite integrated with heat radiation plate
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申请号: CN201480044897.6申请日: 2014-08-12
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公开(公告)号: CN105453707A公开(公告)日: 2016-03-30
- 发明人: 广津留秀树 , 野中脩平 , 光永敏胜 , 五十岚厚树 , 宫田浩司 , 西太树 , 井之上纱绪梨 , 小林文弥
- 申请人: 电化株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 电化株式会社
- 当前专利权人: 电化株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权: 2013-168565 2013.08.14 JP; 2014-005776 2014.01.16 JP; 2014-149204 2014.07.22 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/071277 2014.08.12
- 国际公布: WO2015/022956 JA 2015.02.19
- 进入国家日期: 2016-02-05
- 主分类号: H05K1/03
- IPC分类号: H05K1/03 ; C04B35/583 ; C04B41/83 ; H05K1/02
摘要:
本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼-树脂复合体电路基板。一种氮化硼-树脂复合体电路基板,其特征在于,其是在板厚为0.2~1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的,所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5~50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30~85体积%和树脂70~15体积%,树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40~150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40~150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5~2.0。
公开/授权文献
- CN105453707B 氮化硼-树脂复合体电路基板、氮化硼-树脂复合体散热板一体型电路基板 公开/授权日:2018-07-06