Invention Grant
- Patent Title: 通过预测损坏的m-页提高闪存利用率的方法和系统
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Application No.: CN201510629154.1Application Date: 2015-09-29
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Publication No.: CN105468293BPublication Date: 2019-02-12
- Inventor: H·塔巴雷茨 , R·阿加瓦尔 , J·P·费雷拉 , J·S·邦威克 , M·W·夏皮罗
- Applicant: EMC公司
- Applicant Address: 美国马萨诸塞州
- Assignee: EMC公司
- Current Assignee: EMC公司
- Current Assignee Address: 美国马萨诸塞州
- Agency: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- Agent 王达佐; 王艳春
- Priority: 14/501,917 2014.09.30 US
- Main IPC: G06F3/06
- IPC: G06F3/06

Abstract:
本发明公开了一种通过预测损坏的m‑页提高闪存利用率的方法和系统,其涉及一种用于管理持久性存储器的方法。该方法包括选择用于主动读请求的页,其中,该页位于持久性存储器中。该方法还包括:向该页发布主动读请求,响应于该主动读请求而接收用于存储在该页上的数据的位错误值(BEV),获得用于该页的BEV阈值(T),其中,使用与该页相关联的编程/擦除循环值和存储在该页上的数据的保持时间来确定T,进行BEV大于T的第一确定,基于该第一确定:识别m‑页,其中,m‑页是一组页,其中,该页在该一组页中,以及将该m‑页设定为对未来操作不可分配。
Public/Granted literature
- CN105468293A 通过预测损坏的m-页提高闪存利用率的方法和系统 Public/Granted day:2016-04-06
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