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公开(公告)号：CN105468534A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510631086.2
申请日：2015-09-29
申请人： EMC公司
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C16/3495 , G06F3/0611 , G06F3/0634 , G06F3/0679
摘要： 本发明公开了一种使用读取阈值表提高闪存利用率的方法和系统，其中，所述方法包括从客户端接收包括用于数据的逻辑地址的客户端读请求，使用逻辑地址来确定物理地址，其中，所述物理地址包括用于持久性存储器中的物理页的页号，确定用于数据的保持时间，确定与物理页相关联的编程/擦除(P/E)循环值，使用P/E循环值、保持时间以及页号来获得至少一个读取阈值，向包括物理页的存储模块发布包括所述至少一个读取阈值的控制模块读请求，以及使用所述至少一个读取阈值从物理页获得数据。
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公开(公告)号：CN106407128A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610196079.9
申请日：2016-03-31
申请人： EMC公司
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0611 , G06F3/0614 , G06F3/065 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F13/4022 , H04L12/18 , G06F12/0261 , G06F12/063
摘要： 一般地，本技术的实施方式涉及一种用于向持久性储存器写入数据的方法和系统。更一般地，本技术的实施方式涉及使用预定义多播地址群向持久性储存器中的安全存储器段写入数据。此外，本技术的实施方式考虑到持久性储存器的当前状态以便选择将在其中存储数据的安全存储器段。
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公开(公告)号：CN105468293B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510629154.1
申请日：2015-09-29
申请人： EMC公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种通过预测损坏的m‑页提高闪存利用率的方法和系统，其涉及一种用于管理持久性存储器的方法。该方法包括选择用于主动读请求的页，其中，该页位于持久性存储器中。该方法还包括：向该页发布主动读请求，响应于该主动读请求而接收用于存储在该页上的数据的位错误值(BEV)，获得用于该页的BEV阈值(T)，其中，使用与该页相关联的编程/擦除循环值和存储在该页上的数据的保持时间来确定T，进行BEV大于T的第一确定，基于该第一确定：识别m‑页，其中，m‑页是一组页，其中，该页在该一组页中，以及将该m‑页设定为对未来操作不可分配。
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公开(公告)号：CN105468534B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510631086.2
申请日：2015-09-29
申请人： EMC公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开了一种使用读取阈值表提高闪存利用率的方法和系统，其中，所述方法包括从客户端接收包括用于数据的逻辑地址的客户端读请求，使用逻辑地址来确定物理地址，其中，所述物理地址包括用于持久性存储器中的物理页的页号，确定用于数据的保持时间，确定与物理页相关联的编程/擦除(P/E)循环值，使用P/E循环值、保持时间以及页号来获得至少一个读取阈值，向包括物理页的存储模块发布包括所述至少一个读取阈值的控制模块读请求，以及使用所述至少一个读取阈值从物理页获得数据。
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公开(公告)号：CN106407128B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610196079.9
申请日：2016-03-31
申请人： EMC公司
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0611 , G06F3/0614 , G06F3/065 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F13/4022 , H04L12/18
摘要： 一般地，本技术的实施方式涉及一种用于向持久性储存器写入数据的方法和系统。更一般地，本技术的实施方式涉及使用预定义多播地址群向持久性储存器中的安全存储器段写入数据。此外，本技术的实施方式考虑到持久性储存器的当前状态以便选择将在其中存储数据的安全存储器段。
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公开(公告)号：CN105468293A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510629154.1
申请日：2015-09-29
申请人： EMC公司
IPC分类号： G06F3/06
CPC分类号： G06F11/1072 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/0727 , G06F11/076 , G06F11/108 , G06F11/2221 , G06F2212/403
摘要： 本发明公开了一种通过预测损坏的m-页提高闪存利用率的方法和系统，其涉及一种用于管理持久性存储器的方法。该方法包括选择用于主动读请求的页，其中，该页位于持久性存储器中。该方法还包括：向该页发布主动读请求，响应于该主动读请求而接收用于存储在该页上的数据的位错误值(BEV)，获得用于该页的BEV阈值(T)，其中，使用与该页相关联的编程/擦除循环值和存储在该页上的数据的保持时间来确定T，进行BEV大于T的第一确定，基于该第一确定：识别m-页，其中，m-页是一组页，其中，该页在该一组页中，以及将该m-页设定为对未来操作不可分配。
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