氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管

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专利标题： 氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管
专利标题（英）： Oxide semiconductor substrate and schottky barrier diode
申请号： CN201480045491.X

申请日： 2014-08-08
公开(公告)号： CN105474397A

公开(公告)日： 2016-04-06
发明人: 笘井重和 , 柴田雅敏 , 川岛绘美 , 矢野公规 , 早坂紘美
申请人： 出光兴产株式会社
申请人地址： 日本国东京都
专利权人： 出光兴产株式会社
当前专利权人： 出光兴产株式会社
当前专利权人地址： 日本国东京都
代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
代理商 洪秀川
优先权： 2013-169967 2013.08.19 JP; 2014-030250 2014.02.20 JP
国际申请： PCT/JP2014/004154 2014.08.08
国际公布： WO2015/025500 JA 2015.02.26
进入国家日期： 2016-02-16
主分类号： H01L29/47
IPC分类号： H01L29/47 ; H01L29/872

摘要：

本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。

摘要（英）：

A Schottky barrier diode element having an n-type or p-type silicon (Si) substrate, an oxide semiconductor layer, and a Schottky electrode layer, wherein the oxide semiconductor layer contains a polycrystalline oxide and/or an amorphous oxide having gallium (Ga) as the principal component thereof.

公开/授权文献

CN105474397B 氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管公开/授权日：2019-06-18

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/43	..以形成材料为特征的
H01L29/47	...肖特基势垒电极