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公开(公告)号：CN105453272A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480045490.5
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/26 , H01L29/47 , H01L29/66969 , H01L29/861
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN111668315A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010532733.5
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/26 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/34
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN105474397A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045491.X
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L29/47
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。
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公开(公告)号：CN111668315B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010532733.5
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/26 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/34
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN105453272B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201480045490.5
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN105474397B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480045491.X
申请日：2014-08-08
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L29/47
摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。
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