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发明公开
CN105493239A Ⅲ-Ⅴ器件在Si晶片上的集成 有权

Ⅲ-Ⅴ器件在Si晶片上的集成
摘要：
在衬底上的沟槽中的多个台面结构上共形地沉积绝缘层。所述绝缘层填充所述台面结构外部的空间。在所述台面结构上沉积成核层。在所述成核层上沉积Ⅲ-Ⅴ材料层。Ⅲ-Ⅴ材料层在所述绝缘层上方横向生长。
摘要（英）：

An insulating layer is conformally deposited on a plurality of mesa structures in a trench on a substrate. The insulating layer fills a space outside the mesa structures. A nucleation layer is deposited on the mesa structures. A III-V material layer is deposited on the nucleation layer. The III-V material layer is laterally grown over the insulating layer.

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