发明授权
- 专利标题： 一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法
-
申请号： CN201511008671.3申请日： 2015-12-29
-
公开(公告)号： CN105551794B公开(公告)日： 2017-10-10
- 发明人: 周仁伟 , 刘学超 , 郑燕青 , 施尔畏
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： H01F41/22
- IPC分类号： H01F41/22 ; H01F1/40 ; H01F10/193 ; C23C16/32 ; C23C16/56
摘要：
本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。
公开/授权文献
- CN105551794A 一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法 公开/授权日：2016-05-04
