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公开(公告)号：CN112136188B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980032490.4
申请日：2019-05-08
申请人： 马克斯·普朗克科学促进学会
IPC分类号： H01F1/40 , H01F10/193
摘要： 本发明涉及硬磁体，其包含具有通式组成XaX’bYcZd的金属间化合物，其中X和X’彼此独立地表示具有未成对电子的3d过渡金属；Y是第5、8、9或10族的4d或5d过渡金属；Z是第13、14或15族的主族元素；a和d彼此独立地表示在0.1和2.0之间的数；和b和c彼此独立地表示在0.0和2.0之间的数；使得a+b+c+d在3.0和4.0之间。
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公开(公告)号：CN118658728A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410569814.0
申请日：2024-05-09
申请人： 吕梁学院
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿氧化物薄膜制备及室温自发正交换偏置方法，包括：首先对SrTiO3衬底进行表面预处理，获得理想的TiO2终端表面；然后采用脉冲激光沉积在预处理衬底上外延生长SmFeO3/La0.7Sr0.3MnO3薄膜；最后在室温下施加外磁场，根据不同初始磁化方向，磁滞回线分别偏移到正向或负向磁场方向，从而实现了自发正交换偏置效应及其可逆调控。该发明实现了罕见的室温自发正交换偏置，并可对偏置方向进行调控，在高密度、低功耗、高零敏度自旋电子器件领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN107667406B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580080381.1
申请日：2015-06-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01F10/193 , H01F41/30 , H03K19/16
摘要： 描述一种设备，其包括：由带有足够高各向异性和足够低磁性饱和的一种或多种材料形成的输入磁体，以增大自旋电流的注入；以及耦合到输入磁体的第一界面层，其中第一界面层由非磁性材料形成，使得第一界面层和输入磁体一起具有充分匹配的原子结晶层。
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公开(公告)号：CN107667406A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201580080381.1
申请日：2015-06-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01F10/193 , H01F41/30 , H03K19/16
摘要： 描述一种设备，其包括：由带有足够高各向异性和足够低磁性饱和的一种或多种材料形成的输入磁体，以增大自旋电流的注入；以及耦合到输入磁体的第一界面层，其中第一界面层由非磁性材料形成，使得第一界面层和输入磁体一起具有充分匹配的原子结晶层。
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公开(公告)号：CN101235457A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810059939.X
申请日：2008-03-04
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及N2O掺杂生长p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、Co2O3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为2～15Pa的N2O气氛下生长，生长温度为300～700℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节N2O气体压强来控制；本方法制得的p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜同时具有半导体的性能及磁学性能。载流子浓度为1015～1018cm－3。
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公开(公告)号：CN101183595A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710160237.6
申请日：2007-12-14
申请人： 浙江大学 , 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01F10/193 , H01F1/40 , H01F41/14 , C01G9/02 , C23C18/00 , H01L29/22 , H01L21/368 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1－x－yTMyNaxO，Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等，x＝0－10％，y＝0－20％。方法：将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品，或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃，蓝宝石，SiC等)上均匀覆涂，烘干、热处理后，得到薄膜样品。溶胶－凝胶法制备材料具有技术简单，低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上，成功引入Na离子得到p型掺杂，使磁性能得到提高，并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。
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公开(公告)号：CN111276600A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010098485.8
申请日：2016-03-28
申请人： TDK株式会社
发明人： 佐佐木智生
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L27/22 , H01L27/105 , H01F10/193 , G11C11/16 , G11B5/39 , H01F1/40
摘要： 本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
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公开(公告)号：CN104813472B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380060955.X
申请日：2013-06-12
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/1936 , H01F10/3236 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 描述了具有增强稳定性的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和制造具有增强稳定性的垂直STTM器件的方法。例如，用于磁性隧穿结的材料层叠置体包括固定磁性层。电介质层设置于所述固定磁性层上方。自由磁性层设置于所述电介质层上方。导电氧化物材料层设置于所述自由磁性层上。
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公开(公告)号：CN105551794B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201511008671.3
申请日：2015-12-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01F41/22 , H01F1/40 , H01F10/193 , C23C16/32 , C23C16/56
摘要： 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。
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公开(公告)号：CN103915488B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410120822.3
申请日：2010-01-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/66 , H01F10/193 , H01F10/32 , B82Y25/00
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
摘要： 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。
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