- 专利标题: 一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法
- 专利标题(英): Charge transfer efficiency test method of post-neutron irradiation charge coupled device
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申请号: CN201610067202.7申请日: 2016-01-29
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公开(公告)号: CN105572486A公开(公告)日: 2016-05-11
- 发明人: 王祖军 , 黄绍艳 , 姚志斌 , 何宝平 , 刘敏波 , 唐本奇 , 肖志刚 , 盛江坤 , 马武英 , 罗通顶 , 陈伟 , 薛院院
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市69信箱
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市69信箱
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 杨亚婷
- 主分类号: G01R29/08
- IPC分类号: G01R29/08
摘要:
本发明提供一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法。该方法通过增加CCD信号电荷读出时的过扫描像素输出单元,使中子辐照诱发产生的缺陷俘获CCD信号电荷后,在过扫描像素输出单元中收集,并通过图像输出直观地呈现中子辐照诱发产生的信号电荷损失;采用饱和光照,使信号电荷包在CCD转移沟道依次转移过程中,消除暗信号尖峰带来的影响,同时能满足不同中子注量辐照后,CTE测试时,信号电荷包大小的一致性。从而解决了中子辐照后导致CCD的CTE测试不准甚至无法测试的难题。
公开/授权文献
- CN105572486B 一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法 公开/授权日:2018-07-13